background image

1

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/

111D/111E/111F/111H/111L

Silicon PNP epitaxial planer transistor

For digital circuits

s

Features

q

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

q

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

s

Resistance by Part Number

(R

1

)

(R

2

)

q

UN1111

10k

10k

q

UN1112

22k

22k

q

UN1113

47k

47k

q

UN1114

10k

47k

q

UN1115

10k

q

UN1116

4.7k

q

UN1117

22k

q

UN1118

0.51k

5.1k

q

UN1119

1k

10k

q

UN1110

47k

q

UN111D

47k

10k

q

UN111E

47k

22k

q

UN111F

4.7k

10k

q

UN111H

2.2k

10k

q

UN111L

4.7k

4.7k

s

Absolute Maximum Ratings  

(Ta=25˚C)

1:Base

2:Collector

3:Emitter

M Type Mold Package

Unit: mm

Internal Connection

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to base voltage

V

CBO

–50

V

Collector to emitter voltage

V

CEO

–50

V

Collector current

I

C

–100

mA

Total power dissipation

P

T

400

mW

Junction temperature

T

j

150

˚C

Storage temperature

T

stg

–55 to +150

˚C

6.9

±

0.1

0.55

±

0.1

0.45

±

0.05

1.0

±

0.1

1.0

2.5

±

0.1

1.0

1.5

1.5 R0.9

R0.9

R0.7

0.4

0.85

3.5

±

0.1

2.0

±

0.2

2.4

±

0.2

1.25

±

0.05

4.1

±

0.2

4

.5

±

0.1

2.5

2.5

1

2

3

B

C

R1

R2

E

background image

2

Transistors with built-in Resistor

s

Electrical Characteristics  

(Ta=25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

I

CBO

V

CB

 = –50V, I

E

 = 0

– 0.1

µ

A

I

CEO

V

CE

 = –50V, I

B

 = 0

– 0.5

µ

A

UN1111

– 0.5

UN1112/1114/111E/111D

– 0.2

UN1113

– 0.1

UN1115/1116/1117/1110

I

EBO

V

EB

 = –6V, I

C

 = 0

– 0.01

mA

UN111F/111H

–1.0

UN1119

–1.5

UN1118/111L

–2.0

Collector to base voltage

V

CBO

I

C

 = –10

µ

A, I

E

 = 0

50

V

Collector to emitter voltage

V

CEO

I

C

 = –2mA, I

B

 = 0

50

V

UN1111

35

UN1112/111E

60

UN1113/1114

h

FE

V

CE

 = –10V, I

C

 = –5mA

80

UN1115*/1116*/1117*/1110*

160

460

UN111F/111D/1119/111H

30

UN1118/111L

20

Collector to emitter saturation voltage

V

CE(sat)

I

C

 = –10mA, I

B

 = – 0.3mA

– 0.25

V

Output voltage high level

V

OH

V

CC

 = –5V, V

B

 = – 0.5V, R

L

 = 1k

–4.9

V

Output voltage low level

V

CC

 = –5V, V

B

 = –2.5V, R

L

 = 1k

– 0.2

UN1113

V

OL

V

CC

 = –5V, V

B

 = –3.5V, R

L

 = 1k

– 0.2

V

UN111D

V

CC

 = –5V, V

B

 = –10V, R

L

 = 1k

– 0.2

UN111E

V

CC

 = –5V, V

B

 = –6V, R

L

 = 1k

– 0.2

Transition frequency

f

T

V

CB

 = –10V, I

E

 = 2mA, f = 200MHz

80

MHz

UN1111/1114/1115

10

UN1112/1117

22

UN1113/1110/111D/111E

47

UN1116/111F/111L

R

1

(–30%)

4.7

(+30%)

k

UN1118

0.51

UN1119

1

UN111H

2.2

UN1111/1112/1113/111L

0.8

1.0

1.2

UN1114

0.17

0.21

0.25

UN1118/1119

0.08

0.1

0.12

UN111D

R

1

/R

2

4.7

UN111E

2.14

UN111F

0.47

UN111H

0.17

0.22

0.27

Emitter

cutoff

current

Forward

current

transfer

ratio

Input

resis-

tance

Resis-

tance

ratio

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

* h

FE

 rank classification (UN1115/1116/1117/1110)

Rank

Q

R

S

h

FE

160 to 260

210 to 340

290 to 460

background image

3

Transistors with built-in Resistor

Common characteristics chart

P

T

 — Ta

Characteristics charts of UN1111

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

100

200

300

400

500

0

20

40

80

60

140

120

100

160

Ambient temperature   Ta   (˚C)

Total power dissipation   P

T

   

(mW

)

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

40

80

120

160

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

–3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

background image

4

Transistors with built-in Resistor

Characteristics charts of UN1112

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1113

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

background image

5

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1114

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

– 0.1

– 0.3

– 0.1 – 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

– 300

–1000

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

background image

6

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

Characteristics charts of UN1115

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1116

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

– 0.01

– 0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 40

–120

– 80

–160

–140

–100

– 60

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

background image

7

Transistors with built-in Resistor

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1117

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage   V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

–2

–10

– 4

– 8

– 6

–120

–100

– 80

– 60

– 40

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

–30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

background image

8

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

Characteristics charts of UN1118

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1119

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 240

– 200

–160

–120

– 80

– 40

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

– 0.5mA

– 0.6mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

40

80

120

160

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 240

– 200

–160

–120

– 80

– 40

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

–0.4mA

–0.3mA

–0.6mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

–0.5mA

–0.2mA

–0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

40

80

120

160

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

background image

9

Transistors with built-in Resistor

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN1110

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

–120

–100

– 80

– 60

– 40

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

=–1.0mA

–0.9mA

–0.8mA

–0.7mA

–0.6mA

–0.5mA

–0.4mA

–0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

background image

10

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

Characteristics charts of UN111D

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN111E

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 60

– 50

– 40

– 30

– 20

–10

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

40

80

120

160

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

–1.5

–10

– 30

–100

– 300

–1000

–3000

–10000

– 4.0

– 3.5

– 3.0

– 2.5

– 2.0

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

–0.1

–0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

–3

–10

–30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 60

– 50

– 40

– 30

– 20

–10

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA – 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

100

200

300

400

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

=–10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

background image

11

Transistors with built-in Resistor

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN111F

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

I

O

 — V

IN

V

IN

 — I

O

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

–1.5

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

– 4.0

– 3.5

– 3.0

– 2.5

– 2.0

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 240

– 200

–160

–120

– 80

– 40

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.1mA

– 0.2mA

– 0.3mA

– 0.4mA

– 0.5mA

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

40

80

120

160

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

6

5

4

3

2

1

–1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–1

– 3

– 0.4

–10

– 30

–100

–300

–1000

–3000

–10000

–1.4

–1.2

–1.0

– 0.8

– 0.6

Output current   I

O

   

(

µ

A

)

Input voltage   V

IN

   (V)

V

O

= – 5V

Ta=25˚C

–0.01

–0.03

– 0.1 – 0.3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

background image

12

Transistors with built-in Resistor

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

Characteristics charts of UN111H

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

C

ob

 — V

CB

V

IN

 — I

O

Characteristics charts of UN111L

I

C

 — V

CE

V

CE(sat)

 — I

C

h

FE

 — I

C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

–120

–100

– 80

– 60

– 40

– 20

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= – 0.5mA

– 0.3mA

– 0.4mA

– 0.2mA

– 0.1mA

–0.01

–1

– 3

– 0.1

–1

–10

–100

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

– 0.1 – 0.3

240

200

160

120

80

40

–1

– 3

–10

– 30

–100

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

6

5

4

3

2

1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–0.01

– 0.1 – 0.3

– 0.1

–1

–10

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C

0

0

–12

– 2

–10

– 4

– 8

– 6

– 240

– 200

–160

–120

– 80

– 40

Collector to emitter voltage   V

CE

   (V)

Collector current   I

C

   

(mA

)

Ta=25˚C

I

B

= –1.0mA

– 0.2mA

– 0.4mA

– 0.6mA

– 0.8mA

–0.01

–0.03

–1

– 3

– 0.1

– 0.3

–1

– 3

–10

– 30

–100

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Collector current   I

C

   (mA)

Collector to emitter saturation voltage   V

CE(sat)

   

(V

)

I

C

/I

B

=10

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

0

–1

– 3

240

200

160

120

80

40

–10

– 30

–100 – 300 –1000

Forward current transfer ratio   h

FE

Collector current   I

C

   (mA)

V

CE

= –10V

Ta=75˚C

25˚C

– 25˚C

background image

13

Transistors with built-in Resistor

C

ob

 — V

CB

V

IN

 — I

O

UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/

1119/1110/111D/111E/111F/111H/111L

0

–1

6

5

4

3

2

1

– 3

–10

– 30

–100

Collector output capacitance   C

ob

   

(pF

)

Collector to base voltage    V

CB

   (V)

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25˚C

–0.01

– 0.1 – 0.3

– 0.1

–1

–10

–100

–1

– 3

–10

– 30

–100

Input voltage   V

IN

   

(V

)

Output current   I

O

   (mA)

V

O

= – 0.2V

Ta=25˚C