background image

BPX 65

BPX 66

Semiconductor Group

342

Silizium-PIN-Fotodiode

Silicon PIN Photodiode

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 350 nm bis 1100 nm

q

BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

q

BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)

q

Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

geeignet bis 125

o

C

1)

Anwendungen

q

schneller optischer Empfänger mit gro

β

er

Modulationsbandbreite

Features

q

Especially suitable for applications from

350 nm to 1100 nm

q

BPX 65: high photosensitivity

q

BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)

q

Hermetically sealed metal package (TO-18),

suitable up to 125

o

C

1)

Applications

q

Fast optical sensor of high modulation

bandwidth

BPX 65

BPX 66

1)

Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei

T

A

 > 85

o

C

1)

For operating conditions of

T

A

 > 85

o

C please contact us.

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

BPX 65

Q62702-P27

18 A3 DIN  41870, planes Glasfenster, hermetisch

dichtes Gehäuse,  Lötspie

β

e im 2.54-mm-Raster

 (

2

/

10

”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-

boden

18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically

sealed package, solder  tabs 2.54 mm (

2

/

10

”) lead

spacing, anode marking: projection at package bot-

tom

BPX 66

Q62702-P80

Ma

β

e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

10.95

background image

BPX 65

BPX 66

Semiconductor Group

343

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

;

T

stg

–40 ... +80

o

C

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom

Gehäuse entfernt bei Lötzeit

t

 3s)

Soldering temperature in 2 mm distance

from case bottom (

t

 3s)

T

S

230

o

C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

50

V

Verlustleistung,

T

A

 = 25

o

C

Total power dissipation

P

tot

250

mW

Kennwerte (

T

A

 = 25

o

C, Normlicht A,

T

 = 2856 K)

Characteristics (

T

A

 = 25

o

C, standard light A,

T

 = 2856 K)

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit,

V

R

 = 5 V

Spectral sensitivity

S

10 (

 5.5)

nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S

 = 10% von

S

max

Spectral range of sensitivity

S

 = 10% of

S

max

λ

350 ... 1100

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

1.00

mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L

x

B

L

x

W

1 x 1

mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

H

2.25 ... 2.55

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ

±

40

Grad

deg.

background image

BPX 65

BPX 66

Semiconductor Group

344

Dunkelstrom

Dark current

BPX 65:

V

R

 = 20 V

BPX 66:

V

R

 = 1 V

I

R

1 (

 5)

0.15 (

 0.3)

nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit,

λ

 = 850 nm

Spectral sensitivity

S

λ

0.55

A/W

Quantenausbeute,

λ

 = 850 nm

Quantum yield

η

0.80

Electrons

Photon

Leerlaufspannung,

E

v

 = 1000 Ix

Open-circuit voltage

V

L

320 (

 270)

mV

Kurzschlu

β

strom,

E

v

 = 1000 Ix

Short-circuit current

I

K

10

µ

A

Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

R

L

= 50

Ω;

V

R

= 5 V;

λ

 = 850 nm;

I

p

 = 800

µ

A

t

r

,

t

f

12

ns

Durchla

β

spannung,

I

F

= 100 mA,

E

 = 0

Forward voltage

V

F

1.3

V

Kapazität,

V

R

= 0 V,

f

= 1 MHz,

E

 = 0

Capacitance

C

0

11

pF

Temperaturkoeffizient von

V

L

Temperature coefficient of

 V

L

TC

V

–2.6

mV/K

Temperaturkoeffizient von

I

K

Temperature coefficient of

I

K

TC

I

0.2

%/K

Rauschäquivalente Strahlungsleistung

Noise equivalent power

V

R

= 20 V,

λ

 = 850 nm

NEP

3.3 x 10

–14

   W

Hz

Nachweisgrenze,

V

R

= 20 V,

λ

 = 850 nm

Detection limit

D*

3.1 x 10

12

cm ·

Hz

     W

Kennwerte (

T

A

 = 25

o

C, Normlicht A,

T

 = 2856 K)

Characteristics (

T

A

 = 25

o

C, standard light A,

T

 = 2856 K)

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

background image

BPX 65

BPX 66

Semiconductor Group

345

Relative spectral sensitivity

S

rel

=

f

 (

λ

)

Dark current

I

R

=

f

 (

V

R

),

E

 = 0

Photocurrent

I

P

=

f

 (

E

v

),

V

R

 = 5 V

Open-circuit-voltage

V

L

=

f

 (

E

v

)

Capacitance

C

=

f

 (

V

R

),

f

  = 1 MHz,

E

 = 0

Total power dissipation

P

tot

=

f

 (

T

A

)

Dark current

I

R

=

f

 (

T

A

),

 V

R

 = 20 V,

E

= 0

Directional characteristics

S

rel

=

f

 (

ϕ

)