background image

Semiconductor Group

1

1998-08-27

Silizium-PIN-Fotodiode

NEU: in SMT und als Reverse Gullwing

Silicon PIN Photodiode

NEW: in SMT and as Reverse Gullwing

BPW 34

BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

GEO06643

4.0

3.7

4.3

4.5

5.4

4.9

0.6

0.4

0.6

0.4

1.2

0.7

0.3

0.5

0.8

0.6

Cathode marking

0.6

0.8

1.9

2.2

3.0

3.5

0.6

0.4

Chip position

0.4

0.6

0.35

0.2

0 ... 5˚

5.08 mm

spacing

Approx. weight 0.1 g

1.4

Photosensitive area

2.65 mm x 2.65 mm

1.8

feo06643

BPW 34

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet für Anwendungen

im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

q

Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

q

DIL-Plastikbauform mit hoher

Packungsdichte

q

BPW 34 S/(E9087): geeignet für

Vapor-Phase Löten und IR-Reflow

Löten (JEDEC level 4)

Anwendungen

q

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

q

IR-Fernsteuerungen

q

Industrieelektronik

q

“Messen/Steuern/Regeln”

Features

q

Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm

q

Short switching time (typ. 20 ns)

q

DIL plastic package with high packing

density

q

BPW 34 S/(E9087): suitable for

vapor-phase and IR-reflow soldering

(JEDEC level 4)

Applications

q

Photointerrupters

q

IR remote controls

q

Industrial electronics

q

For control and drive circuits

background image

BPW 34, BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

Semiconductor Group

2

1998-08-27

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

BPW 34

Q62702-P73

BPW 34 S

Q62702-P1602

BPW 34 S (E9087)

Q62702-P1790

4.5

4.3

4.0

3.7

1.5

1.7

0.9

0.7

Photosensitive area

Cathode lead

GEO06863

0.3

6.7

6.2

1.2

1.1

0...0.1

Chip position

0...5˚

0.2

0.1

1.1

0.9

2.65 mm x 2.65 mm

1.8

±0.2

feo06862

4.5

4.3

4.0

3.7

1.5

1.7

0.9

0.7

Photosensitive area

Cathode lead

GEO06916

0.3

6.7

6.2

1.2

1.1

0...0.1

Chip position

0...5˚

0.2

0.1

1.1

0.9

2.65 mm x 2.65 mm

1.8

±0.2

BPW34S

BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

background image

BPW 34, BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

Semiconductor Group

3

1998-08-27

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

;

T

stg

– 40 ... + 85

°

C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

32

V

Verlustleistung,

T

A

 = 25

°

C

Total power dissipation

P

tot

150

mW

Kennwerte (

T

A

 = 25

°

C, Normlicht A,

T

 = 2856 K)

Characteristics (

T

A

 = 25

°

C, standard light A,

T

 = 2856 K)

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit,

V

R

 = 5 V

Spectral sensitivity

S

80 (

 50)

nA/Ix

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S

 = 10 % von

S

max

Spectral range of sensitivity

S

 = 10 % of

S

max

λ

400 ... 1100

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

7.00

mm

2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L

×

B

L

×

W

2.65

×

2.65

mm

×

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ

±

60

Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

R

 = 10 V

Dark current

I

R

2 (

 30)

nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit,

λ

 = 850 nm

Spectral sensitivity

S

λ

0.62

A/W

Quantenausbeute,

λ

 = 850 nm

Quantum yield

η

0.90

Electrons

Photon

Leerlaufspannung,

E

v

 = 1000 Ix

Open-circuit voltage

V

O

365 (

 300)

mV

background image

BPW 34, BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

Semiconductor Group

4

1998-08-27

Kurzschlußstrom,

E

v

 = 1000 Ix

Short-circuit current

I

SC

80

µ

A

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

R

L

 = 50

Ω;

V

R

= 5 V;

λ

 = 850 nm;

I

p

 = 800

µ

A

t

r

,

t

f

20

ns

Durchlaßspannung,

I

F

= 100 mA,

E

 = 0

Forward voltage

V

F

1.3

V

Kapazität,

V

R

= 0 V,

f

= 1 MHz,

E

 = 0

Capacitance

C

0

72

pF

Temperaturkoeffizient von

V

O

Temperature coefficient of

 V

O

TC

V

– 2.6

mV/K

Temperaturkoeffizient von

I

SC

Temperature coefficient of

I

SC

TC

I

0.18

%/K

Rauschäquivalente Strahlungsleistung

Noise equivalent power

V

R

= 10 V,

λ

 = 850 nm

NEP

4.1

×

10

– 14

   W

Hz

Nachweisgrenze,

V

R

= 10 V,

λ

 = 850 nm

Detection limit

D*

6.6

×

10

12

cm ·

Hz

     W

Kennwerte (

T

A

 = 25

°

C, Normlicht A,

T

 = 2856 K)

Characteristics (

T

A

 = 25

°

C, standard light A,

T

 = 2856 K) (cont’d)

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

background image

BPW 34, BPW 34 S

BPW 34 S (E9087)

Semiconductor Group

5

1998-08-27

Directional characteristics

S

rel

=

f

 (

ϕ

)

OHF01402

90

80

70

60

50

40

30

20

10

20

40

60

80

100

120

0.4

0.6

0.8

1.0

ϕ

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

100

0

0

0

Relative spectral sensitivity

S

rel

=

f

 (

λ

)

Dark current

I

R

=

f

 (

V

R

),

E

 = 0

Photocurrent

I

P

=

f

 (

E

v

),

V

R

 = 5 V

Open-circuit voltage

V

O

=

f

 (

E

v

)

Capacitance

C

=

f

 (

V

R

),

f

  = 1 MHz,

E

 = 0

Total power dissipation

P

tot

=

f

 (

T

A

)

Dark current

I

R

=

f

 (

T

A

),

V

R

= 10 V,

E

 = 0

λ

OHF00078

0

rel

S

400

20

40

60

80

%

100

500 600 700 800 900

nm 1100

0

OHF00080

Ι

R

R

V

0

5

10

15

V

20

1000

2000

3000

4000

pA

E

OHF01066

V

0

10

P

Ι

-1

10

10

1

10

2

10

4

10

0

10

1

10

2

10

3

4

10

3

10

2

10

1

10

10

0

V

µ

A

mV

Ι

P

V

O

10

3

lx

V

OHF00081

 

 

 

 

R

-2

10

C

0

-1

10

0

10

1

10

2

10

V

10

20

30

40

50

60

70

80

pF

100

T

OHF00958

 

 

 

 

 

A

0

tot

P

0

20

40

60

80 ˚C 100

mW

20

40

60

80

100

120

140

160

T

OHF00082

 

 

 

 

A

-1

10

0

R

Ι

10

0

10

1

10

2

10

3

nA

20

40

60

80 ˚C 100