background image

2N2905A

2N2907A

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES

DESCRIPTION

The 2N2905A and 2N2907A are silicon planar

epitaxial PNP transistors in Jedec TO-39 (for

2N2905A) and in Jedec TO-18 (for 2N2907A)

metal case. They are designed for high speed

saturated

switching

and

general

purpose

applications.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

November 1997

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V

CBO

Collect or-Base Voltage (I

E

= 0)

-60

V

V

CEO

Collect or-Emitt er Voltage (I

B

= 0)

-60

V

V

EBO

Emitt er-Base Voltage (I

C

= 0)

-5

V

I

C

Collect or Current

-0. 6

A

P

t ot

Total Dissipation at T

amb

25

o

C

for 2N2905A

for 2N2907A

at T

case

25

o

C

for 2N2905A

for 2N2907A

0.6

0.4

3

1.8

W

W

W

W

T

stg

St orage Temperature

-65 t o 200

o

C

T

j

Max. Operating Junction Temperature

200

o

C

TO-18

TO-39

2N2905A approved to CECC 50002-100,

2N2906A approved to CECC 50002-103

available on request.

1/7

background image

THERMAL DATA

T O-39

TO -18

R

t hj-ca se

R

t hj- amb

Thermal Resistance Junction-Case

Max

Thermal Resistance Junction-Ambient

Max

58. 3

292

97. 3

437.5

o

C/W

o

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

case

= 25

o

C unless otherwise specified)

Symb ol

Parameter

Test Cond ition s

Mi n.

Typ .

Max.

Un it

I

CBO

Collect or Cut-off

Current (I

E

= 0)

V

CB

= -50 V

V

CB

= -50 V

T

c ase

= 150

o

C

-10

-10

nA

µ

A

I

CEX

Collect or Cut-off

Current (V

BE

= -0.5V)

V

CE

= -30 V

-50

nA

I

BEX

Base Cut-off Current

(V

BE

= -0. 5V)

V

CE

= -30 V

-50

nA

V

( BR)CBO

Collect or-Base

Breakdown Volt age

(I

E

= 0)

I

C

= -10

µ

A

-60

V

V

( BR)CEO

Collect or-Emitter

Breakdown Volt age

(I

B

= 0)

I

C

= -10 mA

-60

V

V

(BR)EBO

Emitt er-Base

Breakdown Volt age

(I

C

= 0)

I

E

= -10

µ

A

-5

V

V

CE(sat )

Collect or-Emitter

Saturat ion Voltage

I

C

= -150 mA

I

B

= -15 mA

I

C

= -500 mA

I

B

= -50 mA

-0.4

-1.6

V

V

V

BE(s at)

Base-Emitt er

Saturat ion Voltage

I

C

= -150 mA

I

B

= -15 mA

I

C

= -500 mA

I

B

= -50 mA

-1.3

-2.6

V

V

h

FE

DC Current G ain

I

C

= -0.1 mA

V

CE

= -10 V

I

C

= -1 mA

V

CE

= -10 V

I

C

= -10 mA

V

CE

= -10 V

I

C

= -150 mA

V

CE

= -10 V

I

C

= -500 mA

V

CE

= -10 V

75

100

100

100

50

300

f

T

Transit ion F requency

V

CE

= -50 V

f = 100 MHz

I

C

= -20 mA

200

MHz

C

EBO

Emitt er Base

Capacitance

I

C

= 0

V

EB

= -2 V

f = 1MHz

30

pF

C

CBO

Collect or Base

Capacitance

I

E

= 0

V

CB

= -10 V

f = 1MHz

8

pF

t

d

∗∗

Delay Time

V

CC

= -30 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -15 mA

10

ns

t

r

∗∗

Rise Time

V

CC

= -30 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -15 mA

40

ns

t

s

∗∗

St orage Time

V

CC

= -6 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -I

B2

= -15 mA

80

ns

t

f

∗∗

Fall T ime

V

CC

= -6 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -I

B2

= -15 mA

30

ns

t

on

∗∗

Turn-on T ime

V

CC

= -30 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -15 mA

45

ns

t

off

∗∗

Turn-off T ime

V

CC

= -6 V

I

C

= -150 mA

I

B1

= -I

B2

= -15 mA

100

ns

∗ 

Pulsed: Pulse duration = 300

µ

s, duty cycle

1 %

∗∗

See test circuit

2N2905A/2N2907A

2/7

background image

Normalized DC Current Gain.

Collector-emitter Saturation Voltage.

Collector-base and Emitter-base capacitances.

Switching Characteristics.

2N2905A/2N2907A

3/7

background image

Test Circuit for t

on

, t

r

, t

d

.

PULSE GENERATOR :

TO OSCILLOSCOPE :

t

r

2.0 ms

t

r

< 5.0 ns

Frequency = 150 Hz

Z

IN

> 10 M

Z

o

=

50

Test Circuit for t

off

, t

o

, t

f

.

PULSE GENERATOR :

TO OSCILLOSCOPE :

t

r

2.0 ns

t

r

< 5.0 ns

Frequency = 150 Hz

Z

IN

> 100 M

Z

o

=

50

 Ω

2N2905A/2N2907A

4/7

background image

DIM.

mm

inch

MIN.

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

A

12.7

0.500

B

0.49

0.019

D

5.3

0.208

E

4.9

0.193

F

5.8

0.228

G

2.54

0.100

H

1.2

0.047

I

1.16

0.045

L

45

o

45

o

L

G

I

D

A

F

E

B

H

C

TO-18 MECHANICAL DATA

0016043

2N2905A/2N2907A

5/7

background image

DIM.

mm

inch

MIN.

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

A

12.7

0.500

B

0.49

0.019

D

6.6

0.260

E

8.5

0.334

F

9.4

0.370

G

5.08

0.200

H

1.2

0.047

I

0.9

0.035

L

45

o

(typ.)

L

G

I

D

A

F

E

B

H

P008B

TO-39 MECHANICAL DATA

2N2905A/2N2907A

6/7

background image

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the

consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may results from its use. No

license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics. Specifications mentioned

in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied.

SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express

written approval of SGS-THOMSON Microelectonics.

©

1997 SGS-THOMSON Microelectronics - Printed in Italy - All Rights Reserved

SGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIES

Australia - Brazil - Canada - China - France - Germany - Italy - Japan - Korea - Malaysia - Malta - Morocco - The Netherlands -

Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - Taiwan - Thailand - United Kingdom - U.S.A

. . .

2N2905A/2N2907A

7/7