background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 1

TC1054/TC1055/TC1186

Features

• Extremely Low Ground Current for Longer

Battery Life

• Very Low Dropout Voltage

• Choice of 50mA (TC1054), 100mA (TC1055) and

150mA (TC1186) Output

• High Output Voltage Accuracy

• Standard or Custom Output Voltages

• Power-Saving Shutdown Mode

• ERROR Output Can Be Used as a Low Battery

Detector, or Processor Reset Generator

• Over Current and Over Temperature Protection

• Space-Saving 5-Pin SOT-23A Package

• Pin Compatible Upgrades for Bipolar Regulators

Applications

• Battery Operated Systems

• Portable Computers

• Medical Instruments

• Instrumentation

• Cellular/GSM/PHS Phones

• Linear Post-Regulators for SMPS

• Pagers

Device Selection Table

NOTE: xx indicates output voltages

Available Output Voltages: 1.8, 2.5, 2.7, 2.8, 2.85, 3.0, 3.3,

3.6, 4.0, 5.0.

Other output voltages are available. Please contact Microchip

Technology Inc. for details.

Package Type

Part Number

Package

Junction

Temp. Range

TC1054-xxVCT

5-Pin SOT-23A

-40°C to +125°C

TC1055-xxVCT

5-Pin SOT-23A

-40°C to +125°C

TC1186-xxVCT

5-Pin SOT-23A

-40°C to +125°C

SHDN

5

5-Pin SOT-23A

TC1054

TC1055

TC1186

1

3

4

2

V

IN

V

OUT

GND

ERROR

NOTE: 5-Pin SOT-23A is equivalent to the EIAJ (SC-74A)

50mA, 100mA and 150mA CMOS LDOs with Shutdown and ERROR Output

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 2

©

2002 Microchip Technology Inc.

General Description

The TC1054, TC1055 and TC1186 are high accuracy

(typically ±0.5%) CMOS upgrades for older (bipolar)

low dropout regulators. Designed specifically for

battery-operated

systems,

the

devices’

CMOS

construction

eliminates

wasted

ground

current,

significantly extending battery life. Total supply current

is typically 50

µ

A at full load (20 to 60 times lower than

in bipolar regulators).

The devices’ key features include ultra low noise

operation, very low dropout voltage – typically 85mV

(TC1054); 180mV (TC1055); and 270mV (TC1186) at

full load — and fast response to step changes in load.

An error output (ERROR) is asserted when the devices

are out-of-regulation (due to a low input voltage or

excessive output current). ERROR can be used as a

low battery warning or as a processor RESET signal

(with the addition of an external RC network). Supply

current is reduced to 0.5

µ

A (max) and both V

OUT

and

ERROR are disabled when the shutdown input is low.

The devices incorporate both over-temperature and

over-current protection.

The TC1054, TC1055 and TC1186 are stable with an

output capacitor of only 1

µ

F and have a maximum

output

current

of

50mA,

100mA

and

150mA,

respectively. For higher output current regulators,

please see the TC1173 (I

OUT

= 300mA) data sheet.

Typical Application

TC1054

TC1055

TC1186

V

OUT

GND

1

µF

+

V

IN

V

IN

V

OUT

1

5

2

4

3

SHDN

Shutdown Control

(from Power Control Logic)

ERROR

ERROR

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 3

TC1054/TC1055/TC1186

1.0

ELECTRICAL

CHARACTERISTICS

Absolute Maximum Ratings*

Input Voltage......................................................... 6.5V

Output Voltage ...........................(-0.3V) to (V

IN

+ 0.3V)

Power Dissipation ............... Internally Limited (Note 6)

Maximum Voltage on Any Pin ........ V

IN

+0.3V to -0.3V

Operating Temperature Range ......-40°C < T

J

< 125°C

Storage Temperature ......................... -65°C to +150°C

*Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These

are stress ratings only and functional operation of the device

at these or any other conditions above those indicated in the

operation sections of the specifications is not implied.

Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for

extended periods may affect device reliability.

TC1054/TC1055/TC1186 ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Electrical Characteristics: V

IN

= V

OUT

+ 1V, I

L

= 100

µ

A, C

L

= 3.3

µ

F, SHDN > V

IH

, T

A

= 25°C, unless otherwise noted. Boldface

type specifications apply for junction temperatures of -40°C to +125°C.

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

Test Conditions

V

IN

Input Operating Voltage

2.7

6.0

V

Note 8

I

OUT

MAX

Maximum Output Current

50

100

150

mA

TC1054

TC1055

TC1186

V

OUT

Output Voltage

V

R

– 2.5%

V

R

±0.5%

V

R

+ 2.5%

V

Note 1

TCV

OUT

V

OUT

Temperature Coefficient

20

40

ppm/°C

Note 2

V

OUT

/

V

IN

Line Regulation

0.05

0.35

%

(V

R

+ 1V)

≤ 

V

IN

 ≤ 

6V

V

OUT

/V

OUT

Load Regulation

TC1054; TC1055

TC1186

0.5

0.5

2

3

%

I

L

= 0.1mA to I

OUT

MAX

I

L

= 0.1mA to I

OUT

MAX

(Note 3)

V

IN

-V

OUT

Dropout Voltage

TC1055; TC1186

TC1186

2

65

85

180

270

120

250

400

mV

I

L

= 100

µ

A

I

L

= 20mA

I

L

= 50mA

I

L

= 100mA

I

L

= 150mA (Note 4)

I

IN

Supply Current

50

80

µ

A

SHDN = V

IH

, I

L

= 0

I

INSD

Shutdown Supply Current

0.05

0.5

µ

A

SHDN = 0V

PSRR

Power Supply Rejection Ratio

64

dB

F

RE

≤ 

1kHz

I

OUT

SC

Output Short Circuit Current

300

450

mA

V

OUT

= 0V

V

OUT

/

P

D

Thermal Regulation

0.04

V/W

Notes 5, 6

T

SD

Thermal Shutdown Die Temperature

160

°C

T

SD

Thermal Shutdown Hysteresis

10

°C

eN

Output Noise

260

nV/

Hz

I

L

= I

OUT

MAX

Note

1:

V

R

is the regulator output voltage setting. For example: V

R

= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.

2:

3:

Regulation is measured at a constant junction temperature using low duty cycle pulse testing. Load regulation is tested over a load range

from 0.1mA to the maximum specified output current. Changes in output voltage due to heating effects are covered by the thermal

regulation specification.

4:

Dropout voltage is defined as the input to output differential at which the output voltage drops 2% below its nominal value.

5:

Thermal Regulation is defined as the change in output voltage at a time T after a change in power dissipation is applied, excluding load or

line regulation effects. Specifications are for a current pulse equal to I

L

MAX

at V

IN

= 6V for T = 10 msec.

6:

The maximum allowable power dissipation is a function of ambient temperature, the maximum allowable junction temperature and the

thermal resistance from junction-to-air (i.e., T

A

, T

J

,

θ

JA

). Exceeding the maximum allowable power dissipation causes the device to initiate

thermal shutdown. Please see Section 4.0 Thermal Considerations for more details.

7:

Hysteresis voltage is referenced by V

R

.

8:

The minimum V

IN

has to justify the conditions: V

IN

V

R

+ V

DROPOUT

and V

IN

2.7V for I

L

= 0.1mA to I

OUT

MAX

.

TC V

OUT

= (V

OUT

MAX

– V

OUT

MIN

)x 10

6

V

OUT

x

T

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 4

©

2002 Microchip Technology Inc.

TC1054/TC1055/TC1186 ELECTRICAL SPECIFICATION

S (CONTINUED)

Electrical Characteristics: V

IN

= V

OUT

+ 1V, I

L

= 100

µ

A, C

L

= 3.3

µ

F, SHDN > V

IH

, T

A

= 25°C, unless otherwise noted. Boldface

type specifications apply for junction temperatures of -40°C to +125°C.

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

Test Conditions

SHDN Input

V

IH

SHDN Input High Threshold

45

%V

IN

V

IN

= 2.5V to 6.5V

V

IL

SHDN Input Low Threshold

15

%V

IN

V

IN

= 2.5V to 6.5V

ERROR Output

V

IN

MIN

Minimum V

IN

O

perating Voltage

1.0

V

V

OL

O

utput Logic Low Voltage

400

mV

1 mA Flows to ERROR

V

TH

ERROR Threshold Voltage

0.95 x V

R

V

See Figure 3-2

V

HYS

ERROR Positive Hysteresis

50

mV

Note 7

Note

1:

V

R

is the regulator output voltage setting. For example: V

R

= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.

2:

3:

Regulation is measured at a constant junction temperature using low duty cycle pulse testing. Load regulation is tested over a load range

from 0.1mA to the maximum specified output current. Changes in output voltage due to heating effects are covered by the thermal

regulation specification.

4:

Dropout voltage is defined as the input to output differential at which the output voltage drops 2% below its nominal value.

5:

Thermal Regulation is defined as the change in output voltage at a time T after a change in power dissipation is applied, excluding load or

line regulation effects. Specifications are for a current pulse equal to I

L

MAX

at V

IN

= 6V for T = 10 msec.

6:

The maximum allowable power dissipation is a function of ambient temperature, the maximum allowable junction temperature and the

thermal resistance from junction-to-air (i.e., T

A

, T

J

,

θ

JA

). Exceeding the maximum allowable power dissipation causes the device to initiate

thermal shutdown. Please see Section 4.0 Thermal Considerations for more details.

7:

Hysteresis voltage is referenced by V

R

.

8:

The minimum V

IN

has to justify the conditions: V

IN

V

R

+ V

DROPOUT

and V

IN

2.7V for I

L

= 0.1mA to I

OUT

MAX

.

TC V

OUT

= (V

OUT

MAX

– V

OUT

MIN

)x 10

6

V

OUT

x

T

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 5

TC1054/TC1055/TC1186

2.0

PIN DESCRIPTIONS

The descriptions of the pins are listed in Table 2-1.

TABLE 2-1:

PIN FUNCTION TABLE

Pin No.

(5-Pin SOT-23A)

Symbol

Description

1

V

IN

Unregulated supply input.

2

GND

Ground terminal.

3

SHDN

Shutdown control input. The regulator is fully enabled when a logic high is applied to this

input. The regulator enters shutdown when a logic low is applied to this input. During

shutdown, output voltage falls to zero, ERROR is open circuited and supply current is

reduced to 0.5

µ

A (max).

4

ERROR

Out-of-Regulation Flag. (Open drain output). This output goes low when V

OUT

is out-of-

tolerance by approximately – 5%.

5

V

OUT

Regulated voltage output.

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 6

©

2002 Microchip Technology Inc.

3.0

DETAILED DESCRIPTION

The TC1054, TC1055 and TC1186 are precision fixed

output voltage regulators. (If an adjustable version is

desired, please see the TC1070/TC1071/TC1187 data

sheet.) Unlike bipolar regulators, the TC1054, TC1055

and TC1186 supply current does not increase with load

current. In addition, V

OUT

remains stable and within

regulation over the entire 0mA to I

OUT

MAX

operating

load current range, (an important consideration in RTC

and CMOS RAM battery back-up applications).

Figure 3-1 shows a typical application circuit. The

regulator is enabled any time the shutdown input

(SHDN) is at or above V

IH

, and shutdown (disabled)

when SHDN is at or below V

IL

. SHDN may be

controlled by a CMOS logic gate, or I/O port of a

microcontroller. If the SHDN input is not required, it

should be connected directly to the input supply. While

in shutdown, supply current decreases to 0.05

µ

A

(typical), V

OUT

falls to zero volts, and ERROR is open-

circuited.

FIGURE 3-1:

TYPICAL APPLICATION

CIRCUIT

3.1

ERROR Open Drain Output

ERROR is driven low whenever V

OUT

falls out of

regulation by more than – 5% (typical). This condition

may be caused by low input voltage, output current

limiting, or thermal limiting. The ERROR threshold is

5% below rated V

OUT

regardless of the programmed

output voltage value (e.g. ERROR = V

OL

at 4.75V (typ.)

for a 5.0V regulator and 2.85V (typ.) for a 3.0V

regulator). ERROR output operation is shown in

Figure 3-2.

Note that ERROR is active when V

OUT

falls to V

TH

, and

inactive when V

OUT

rises above V

TH

by V

HYS

.

As shown in Figure 3-1, ERROR can be used as a

battery low flag, or as a processor RESET signal (with

the addition of timing capacitor C2). R1 x C2 should be

chosen to maintain ERROR below V

IH

of the processor

RESET input for at least 200 msec to allow time for the

system to stabilize. Pull-up resistor R1 can be tied to

V

OUT

, V

IN

or any other voltage less than (V

IN

+ 0.3V).

FIGURE 3-2:

ERROR OUTPUT

OPERATION

3.2

Output Capacitor

A 1

µ

F (min) capacitor from V

OUT

to ground is

recommended. The output capacitor should have an

effective series resistance greater than 0.1

and less

than 5.0

, and a resonant frequency above 1MHz. A

1

µ

F capacitor should be connected from V

IN

to GND if

there is more than 10 inches of wire between the

regulator and the AC filter capacitor, or if a battery is

used as the power source. Aluminum electrolytic or

tantalum capacitor types can be used. (Since many

aluminum electrolytic capacitors freeze at approxi-

mately -30°C, solid tantalums are recommended for

applications operating below -25°C.) When operating

from

sources

other

than

batteries,

supply-noise

rejection and transient response can be improved by

increasing the value of the input and output capacitors

and employing passive filtering techniques.

TC1054

TC1055

TC1186

V

OUT

SHDN

GND

ERROR

1

µF

C1

+

V

IN

V

OUT

Shutdown Control

(to CMOS Logic or Tie

to V

IN

 if unused)

1

µF

+

Battery

+

0.2

µF

C2

C2 Required Only

if ERROR is used as a

Processor RESET Signal

(See Text)

R1

1M

V+

BATTLOW

or RESET

V

TH

V

OUT

ERROR

V

IH

V

OL

HYSTERESIS (V

H

)

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 7

TC1054/TC1055/TC1186

4.0

THERMAL CONSIDERATIONS

4.1

Thermal Shutdown

Integrated

thermal

protection

circuitry

shuts

the

regulator off when die temperature exceeds 160°C.

The regulator remains off until the die temperature

drops to approximately 150°C.

4.2

Power Dissipation

The amount of power the regulator dissipates is

primarily a function of input and output voltage, and

output current. The following equation is used to

calculate worst case actual power dissipation:

EQUATION 4-1:

The

maximum

allowable

power

dissipation

(Equation 4-2) is a function of the maximum ambient

temperature (T

A

MAX

), the maximum allowable die

temperature (T

J

MAX

) and the thermal resistance from

junction-to-air (

θ

JA

). The 5-Pin SOT-23A package has

a

θ

JA

of approximately 220°C/Watt.

EQUATION 4-2:

Equation 4-1

can

be

used

in

conjunction

with

Equation 4-2 to ensure regulator thermal operation is

within limits. For example:

Given:

V

IN

MAX

= 3.0V ±5%

V

OUT

MIN

= 2.7V – 2.5%

I

LOAD

MAX

= 40mA

T

J

MAX

= 125°C

T

A

MAX

= 55°C

Find: 1. Actual power dissipation

2. Maximum allowable dissipation

Actual power dissipation:

P

D

(V

IN

MAX

– V

OUT

MIN

)I

LOAD

MAX

= [(3.0 x 1.05) – (2.7 x .975)]40 x 10

–3

= 20.7mW

Maximum allowable power dissipation:

In this example, the TC1054 dissipates a maximum of

20.7mW; below the allowable limit of 318mW. In a

similar manner, Equation 4-1 and Equation 4-2 can be

used to calculate maximum current and/or input

voltage limits.

4.3

Layout Considerations

The primary path of heat conduction out of the package

is via the package leads. Therefore, layouts having a

ground plane, wide traces at the pads, and wide power

supply bus lines combine to lower

θ

JA

 

and therefore,

increase the maximum allowable power dissipation

limit.

Where:

P

D

(V

IN

MAX

– V

OUT

MIN

)I

LOAD

MAX

P

D

V

IN

MAX

V

OUT

MIN

I

LOAD

MAX

= Worst case actual power dissipation

= Minimum regulator output voltage

= Maximum output (load) current

= Maximum voltage on V

IN

P

D

MAX

= (T

J

MAX

– T

A

MAX

)

θ

JA

Where all terms are previously defined.

P

D

MAX

= (T

J

MAX

– T

A

MAX

)

θ

JA

= (125 – 55)

220

= 318mW

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 8

©

2002 Microchip Technology Inc.

5.0

TYPICAL CHARACTERISTICS

(Unless Otherwise Specified, All Parts Are Measured At Temperature = 25°C)

Note:

The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of

samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein are

not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified

operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.

0.000

0.002

0.004

0.006

0.008

0.010

0.012

0.014

0.016

0.018

0.020

-40

-20

0

20

50

70

125

DROPOUT VOLTAGE (V)

I

LOAD

 = 10mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Dropout Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

0.000

0.020

0.040

0.060

0.080

0.100

0.120

0.140

0.160

0.180

0.200

-40

-20

0

20

50

70

125

DROPOUT VOLTAGE (V)

I

LOAD

 = 100mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Dropout Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

GND CURRENT (

µ

A)

0  0.5   1 1.5   2   2.5  3   3.5   4  4.5 5   5.5  6   6.5  7   7.5

I

LOAD

 = 10mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

Ground Current vs. V

IN

 (V

OUT

 

= 3.3V)

V

IN

 (V)

0.000

0.010

0.020

0.030

0.040

0.050

0.060

0.070

0.080

0.090

0.100

-40

-20

0

20

50

70

125

DROPOUT VOLTAGE (V)

I

LOAD

 = 50mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Dropout Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

0.000

0.050

0.100

0.150

0.200

0.250

0.300

-40

-20

0

20

50

70

125

DROPOUT VOLTAGE (V)

I

LOAD

 = 150mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Dropout Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

GND CURRENT (

µ

A)

0   0.5  1  1.5   2   2.5   3   3.5   4  4.5    5   5.5  6   6.5   7   7.5

I

LOAD

 = 100mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

Ground Current vs. V

IN

 (V

OUT

 

= 3.3V)

V

IN

 (V)

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 9

TC1054/TC1055/TC1186

5.0

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

(Unless Otherwise Specified, All Parts Are Measured At Temperature = 25°C)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

GND CURRENT (

µ

A)

 

0  0.5   1 1.5   2   2.5  3   3.5  4   4.5 5   5.5  6   6.5  7   7.5

I

LOAD

 = 150mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

V

IN

 (V)

Ground Current vs. V

IN

 (V

OUT

 

= 3.3V)

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

I

LOAD

 = 100mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

0    0.5   1   1.5   2   2.5   3   3.5   4   4.5   5   5.5   6   6.5   7

V

IN

 (V)

 

V

OUT

 (V)

 

V

OUT

 vs. 

V

IN

 (V

OUT

 

= 3.3V)

 

3.274

3.276

3.278

3.280

3.282

3.284

3.286

3.288

3.290

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

I

LOAD

 = 150mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

V

IN

 = 4.3V

TEMPERATURE (

°C)

V

OUT

 (V)

 

Output Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

 0    0.5   1  1.5    2   2.5   3   3.5    4   4.5   5    5.5   6   6.5   7

I

LOAD

 = 0

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

V

IN

 (V)

 

V

OUT

 (V)

 

V

OUT

 vs. 

V

IN

 (V

OUT

 

= 3.3V)

3.275

3.280

3.285

3.290

3.295

3.300

3.305

3.310

3.315

3.320

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

I

LOAD

 = 10mA

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

V

IN

 = 4.3V

TEMPERATURE (

°C)

V

OUT

 (V)

 

Output Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 3.3V)

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 10

©

2002 Microchip Technology Inc.

5.0

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

(Unless Otherwise Specified, All Parts Are Measured At Temperature = 25°C)

4.985

4.990

4.995

5.000

5.005

5.010

5.015

5.020

5.025

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

I

LOAD

 = 10mA

V

IN

 

= 6V

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Output Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 5V)

V

OUT

 (V)

 

                                                                    

   

0

10

20

30

40

50

60

70

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

GND CURRENT (

µ

A)

I

LOAD

 = 10mA

V

IN

 

= 6V

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Temperature 

vs. Quiescent Current (V

OUT

 

= 5V)

4.974

4.976

4.978

4.980

4.982

4.984

4.986

4.988

4.990

4.992

4.994

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

I

LOAD

 = 150mA

V

IN

 

= 6V

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

Output Voltage vs. Temperature (V

OUT

 

= 5V)

V

OUT

 (V)

 

Temperature vs. Quiescent Current (V

OUT

 

= 5V)

0

10

20

30

40

50

60

70

80

-40

-20

-10

0

20

40

85

125

GND CURRENT (

µ

A) 

I

LOAD

 = 150mA

V

IN

 

= 6V

C

IN

 

= 1

µF

C

OUT

 

= 1

µF

TEMPERATURE (

°C)

10.0

1.0

0.1

0.0

0.01K 0.1K

1K

10K

100K

1000K

FREQUENCY (Hz)

Output Noise vs. Frequency

NOISE (

µ

V/

Hz)

R

LOAD

 = 50

 

C

OUT 

= 1

µF

C

IN

 = 1

µF

1000

100

10

1

0.1

0.01

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

LOAD CURRENT (mA)

Stability Region vs. Load Current

C

OUT 

ESR

 

(

)

C

OUT

 = 1

µ

to 10

µF

Stable Region

Stable Region

-30

-35

-40

-45

-50

-60

-55

-65

-70

-75

-80

0.01K 0.1K

1K

10K

100K 1000K

FREQUENCY (Hz)

Power Supply Rejection Ratio

PSRR (dB)

I

OUT 

=

 

10mA

V

INDC 

=

 

4V

V

INAC 

=

 

100mVp-p

V

OUT 

=

 

3V

C

IN 

=

 

0

C

OUT 

=

 

1

µF

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 11

TC1054/TC1055/TC1186

5.0

TYPICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)

V

SHDN

V

OUT

Measure Rise Time of 3.3V LDO

Conditions: C

IN

 = 1

µF, C

OUT

 = 1

µF, I

LOAD

 = 100mA, V

IN

 = 4.3V,

Temp = 25

°C, Fall Time = 184µS

V

SHDN

V

OUT

Measure Rise Time of 5.0V LDO

Conditions: C

IN

 = 1

µF, C

OUT

 = 1

µF, I

LOAD

 = 100mA, V

IN

 = 6V,

Temp = 25

°C, Fall Time = 192µS

V

OUT

Thermal Shutdown Response of 5.0V LDO

Conditions: V

IN

 = 6V, C

IN

 = 0

µF, C

OUT

 = 1

µF

I

LOAD

 was increased until temperature of die reached about 160

°C, at

which time integrated thermal protection circuitry shuts the regulator

off when die temperature exceeds approximately 160

°C. The regulator

remains off until die temperature drops to approximately 150

°C.

V

SHDN

V

OUT

Measure Fall Time of 3.3V LDO

Conditions: C

IN

 = 1

µF, C

OUT

 = 1

µF, I

LOAD

 = 100mA, V

IN

 = 4.3V,

Temp = 25

°C, Fall Time = 52µS

V

SHDN

V

OUT

Measure Fall Time of 5.0V LDO

Conditions: C

IN

 = 1

µF, C

OUT

 = 1

µF, I

LOAD

 = 100mA, V

IN

 = 6V,

Temp = 25

°C, Fall Time = 88µS

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 12

©

2002 Microchip Technology Inc.

6.0

PACKAGING INFORMATION

6.1

Package Marking Information

“1” & “2” = part number code + temperature range and

voltage

“3” represents year and quarter code

“4” represents lot ID number

6.2

Taping Form

(V)

TC1054

Code

TC1055

Code

TC1186

Code

1.8

CY

DY

PY

2.5

C1

D1

P1

2.7

C2

D2

P2

2.8

CZ

DZ

PZ

2.85

C8

D8

P8

3.0

C3

D3

P3

3.3

C5

D5

P5

3.6

C9

D9

P9

4.0

C0

D0

P0

5.0

C7

D7

P7

Component Taping Orientation for 5-Pin SOT-23A (EIAJ SC-74A) Devices

 

Package 

Carrier Width (W) 

Pitch (P) 

Part Per Full Reel 

Reel Size

5-Pin SOT-23A 

8 mm 

4 mm 

3000 

7 in

Carrier Tape, Number of Components Per Reel and Reel Size

 

User Direction of Feed

Device

Marking

PIN 1

Standard Reel Component Orientation

TR Suffix Device

(Mark Right Side Up)

P

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 13

TC1054/TC1055/TC1186

6.3

Package Dimensions

.071 (1.80)

.059 (1.50)

.122 (3.10)

.098 (2.50)

.075 (1.90)

REF.

.020 (0.50)

.012 (0.30)

PIN 1

.037 (0.95)

REF.

.122 (3.10)

.106 (2.70)

.057 (1.45)

.035 (0.90)

.006 (0.15)

.000 (0.00)

.024 (0.60)

.004 (0.10)

10

° MAX.

.010 (0.25)

.004 (0.09)

SOT-23A-5

Dimensions: inches (mm)

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 14

©

2002 Microchip Technology Inc.

NOTES:

background image

 2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 15

TC1054/TC1055/TC1186

SALES AND SUPPORT

Data Sheets

Products supported by a preliminary Data Sheet may have an errata sheet describing minor operational differences and recom-

mended workarounds. To determine if an errata sheet exists for a particular device, please contact one of the following:

1.

Your local Microchip sales office

2.

The Microchip Corporate Literature Center U.S. FAX: (480) 792-7277

3.

The Microchip Worldwide Site (www.microchip.com)

Please specify which device, revision of silicon and Data Sheet (include Literature #) you are using.

New Customer Notification System

Register on our web site (www.microchip.com/cn) to receive the most current information on our products.

background image

TC1054/TC1055/TC1186

DS21350B-page 16

 2002 Microchip Technology Inc.

NOTES:

background image

©

2002 Microchip Technology Inc.

DS21350B-page 17

TC1054/TC1055/TC1186

Information contained in this publication regarding device

applications and the like is intended through suggestion only

and may be superseded by updates. It is your responsibility to

ensure that your application meets with your specifications.

No representation or warranty is given and no liability is

assumed by Microchip Technology Incorporated with respect

to the accuracy or use of such information, or infringement of

patents or other intellectual property rights arising from such

use or otherwise. Use of Microchip’s products as critical com-

ponents in life support systems is not authorized except with

express written approval by Microchip. No licenses are con-

veyed, implicitly or otherwise, under any intellectual property

rights.

Trademarks

The Microchip name and logo, the Microchip logo, FilterLab,

K

EE

L

OQ

, microID,

MPLAB, PIC, PICmicro, PICMASTER,

PICSTART, PRO MATE, SEEVAL and The Embedded Control

Solutions Company are registered trademarks of Microchip Tech-

nology Incorporated in the U.S.A. and other countries.

dsPIC, ECONOMONITOR, FanSense, FlexROM, fuzzyLAB,

In-Circuit Serial Programming, ICSP, ICEPIC, microPort,

Migratable Memory, MPASM, MPLIB, MPLINK, MPSIM,

MXDEV, MXLAB, PICC, PICDEM, PICDEM.net, rfPIC, Select

Mode and Total Endurance are trademarks of Microchip

Technology Incorporated in the U.S.A.

Serialized Quick Turn Programming (SQTP) is a service mark

of Microchip Technology Incorporated in the U.S.A.

All other trademarks mentioned herein are property of their

respective companies.

© 2002, Microchip Technology Incorporated, Printed in the

U.S.A., All Rights Reserved.

Printed on recycled paper.

Microchip received QS-9000 quality system

certification for its worldwide headquarters,

design and wafer fabrication facilities in

Chandler and Tempe, Arizona in July 1999

and Mountain View, California in March 2002.

The Company’s quality system processes and

procedures are QS-9000 compliant for its

PICmicro

®

8-bit MCUs, K

EE

L

OQ

®

code hopping

devices, Serial EEPROMs, microperipherals,

non-volatile memory and analog products. In

addition, Microchip’s quality system for the

design and manufacture of development

systems is ISO 9001 certified.

background image

DS21350B-page 18

©

2002 Microchip Technology Inc.

AMERICAS

Corporate Office

2355 West Chandler Blvd.

Chandler, AZ 85224-6199

Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277

Technical Support: 480-792-7627

Web Address: http://www.microchip.com

Rocky Mountain

2355 West Chandler Blvd.

Chandler, AZ 85224-6199

Tel: 480-792-7966 Fax: 480-792-7456

Atlanta

500 Sugar Mill Road, Suite 200B

Atlanta, GA 30350

Tel: 770-640-0034 Fax: 770-640-0307

Boston

2 Lan Drive, Suite 120

Westford, MA 01886

Tel: 978-692-3848 Fax: 978-692-3821

Chicago

333 Pierce Road, Suite 180

Itasca, IL 60143

Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075

Dallas

4570 Westgrove Drive, Suite 160

Addison, TX 75001

Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924

Detroit

Tri-Atria Office Building

32255 Northwestern Highway, Suite 190

Farmington Hills, MI 48334

Tel: 248-538-2250 Fax: 248-538-2260

Kokomo

2767 S. Albright Road

Kokomo, Indiana 46902

Tel: 765-864-8360 Fax: 765-864-8387

Los Angeles

18201 Von Karman, Suite 1090

Irvine, CA 92612

Tel: 949-263-1888 Fax: 949-263-1338

New York

150 Motor Parkway, Suite 202

Hauppauge, NY 11788

Tel: 631-273-5305 Fax: 631-273-5335

San Jose

Microchip Technology Inc.

2107 North First Street, Suite 590

San Jose, CA 95131

Tel: 408-436-7950 Fax: 408-436-7955

Toronto

6285 Northam Drive, Suite 108

Mississauga, Ontario L4V 1X5, Canada

Tel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

ASIA/PACIFIC

Australia

Microchip Technology Australia Pty Ltd

Suite 22, 41 Rawson Street

Epping 2121, NSW

Australia

Tel: 61-2-9868-6733 Fax: 61-2-9868-6755

China - Beijing

Microchip Technology Consulting (Shanghai)

Co., Ltd., Beijing Liaison Office

Unit 915

Bei Hai Wan Tai Bldg.

No. 6 Chaoyangmen Beidajie

Beijing, 100027, No. China

Tel: 86-10-85282100 Fax: 86-10-85282104

China - Chengdu

Microchip Technology Consulting (Shanghai)

Co., Ltd., Chengdu Liaison Office

Rm. 2401, 24th Floor,

Ming Xing Financial Tower

No. 88 TIDU Street

Chengdu 610016, China

Tel: 86-28-86766200 Fax: 86-28-86766599

China - Fuzhou

Microchip Technology Consulting (Shanghai)

Co., Ltd., Fuzhou Liaison Office

Unit 28F, World Trade Plaza

No. 71 Wusi Road

Fuzhou 350001, China

Tel: 86-591-7503506 Fax: 86-591-7503521

China - Shanghai

Microchip Technology Consulting (Shanghai)

Co., Ltd.

Room 701, Bldg. B

Far East International Plaza

No. 317 Xian Xia Road

Shanghai, 200051

Tel: 86-21-6275-5700 Fax: 86-21-6275-5060

China - Shenzhen

Microchip Technology Consulting (Shanghai)

Co., Ltd., Shenzhen Liaison Office

Rm. 1315, 13/F, Shenzhen Kerry Centre,

Renminnan Lu

Shenzhen 518001, China

Tel: 86-755-2350361 Fax: 86-755-2366086

China - Hong Kong SAR

Microchip Technology Hongkong Ltd.

Unit 901-6, Tower 2, Metroplaza

223 Hing Fong Road

Kwai Fong, N.T., Hong Kong

Tel: 852-2401-1200 Fax: 852-2401-3431

India

Microchip Technology Inc.

India Liaison Office

Divyasree Chambers

1 Floor, Wing A (A3/A4)

No. 11, O’Shaugnessey Road

Bangalore, 560 025, India

Tel: 91-80-2290061 Fax: 91-80-2290062

Japan

Microchip Technology Japan K.K.

Benex S-1 6F

3-18-20, Shinyokohama

Kohoku-Ku, Yokohama-shi

Kanagawa, 222-0033, Japan

Tel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122

Korea

Microchip Technology Korea

168-1, Youngbo Bldg. 3 Floor

Samsung-Dong, Kangnam-Ku

Seoul, Korea 135-882

Tel: 82-2-554-7200 Fax: 82-2-558-5934

Singapore

Microchip Technology Singapore Pte Ltd.

200 Middle Road

#07-02 Prime Centre

Singapore, 188980

Tel: 65-6334-8870 Fax: 65-6334-8850

Taiwan

Microchip Technology Taiwan

11F-3, No. 207

Tung Hua North Road

Taipei, 105, Taiwan

Tel: 886-2-2717-7175 Fax: 886-2-2545-0139

EUROPE

Denmark

Microchip Technology Nordic ApS

Regus Business Centre

Lautrup hoj 1-3

Ballerup DK-2750 Denmark

Tel: 45 4420 9895 Fax: 45 4420 9910

France

Microchip Technology SARL

Parc d’Activite du Moulin de Massy

43 Rue du Saule Trapu

Batiment A - ler Etage

91300 Massy, France

Tel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79

Germany

Microchip Technology GmbH

Gustav-Heinemann Ring 125

D-81739 Munich, Germany

Tel: 49-89-627-144 0 Fax: 49-89-627-144-44

Italy

Microchip Technology SRL

Centro Direzionale Colleoni

Palazzo Taurus 1 V. Le Colleoni 1

20041 Agrate Brianza

Milan, Italy

Tel: 39-039-65791-1 Fax: 39-039-6899883

United Kingdom

Microchip Ltd.

505 Eskdale Road

Winnersh Triangle

Wokingham

Berkshire, England RG41 5TU

Tel: 44 118 921 5869 Fax: 44-118 921-5820

05/01/02

*DS21350B*

W

ORLDWIDE

 S

ALES

 

AND

 S

ERVICE