background image

N-Channel JFET

High Frequency Amplifier

J308 – J310 / SST308 – SST310

FEATURES

••

Industry Standard Part in Low Cost Plastic Package

••

High Power Gain

••

Low Noise

••

Dynamic Range Greater Than 100dB

••

Easily Matched to 75

 Input

APPLICATIONS

••

VHF/UHF Amplifiers

••

Oscillators

••

Mixers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T

A

 = 25

o

C unless otherwise specified)

Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  -25V

Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  -25V

Continuous Forward Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . .  -10mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . .  -55

o

C to +150

o

C

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . .  -55

o

C to +135

o

C

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . .  +300

o

C

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  360mW

 Derate 

above 

25

o

C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.27mW/

o

C

NOTE:  Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device.  These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied.  Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

ORDERING INFORMATION

Part

Package

Temperature Range

J308-310

Plastic TO-92

-55

o

C to +135

o

C

SST308-310 Plastic SOT-23

-55

o

C to +135

o

C

For Sorted Chips in Carriers see U308 series.

CORPORATION

PIN CONFIGURATION

TO-92

S G

D

5021

SOT-23

G

S

D

PRODUCT MARKING (SOT-23)

SST308

Z08

SST309

Z09

SST310

Z10

background image

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) (T

A

 = 25

o

C unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

308

309

310

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX

C

gd

Gate-Drain Capacitance

1.8

2.5

1.8

2.5

1.8

2.5

pF

V

DS

 = 10V, 

V

GS

 = -10

f = 1MHz

(Note 2)

C

gs

Gate-Source Capacitance

4.3

5.0

4.3

5.0

4.3

5.0

e

n

Equivalent Short-Circuit

Input Noise Voltage

10

10

10

nV

√

Hzü

ç4«ónVçXIÇÀçXäBÇÇG‘•çQXóHzâÏé

V

DS

 = 10V, 

I

D

 = 10mA

f = 100Hz

(Note 2)

Re

(Vfs)

Common-Source Forward

Transconductance

12

12

12

µ

S

V

DS

 = 10V, 

I

D

 = 10mA

(Note 2)

f = 105MHz

Re

(Vfg)

Common-Gate Input

Conductance

14

14

14

Re

(Vis)

Common-Source Input

Conductance

0.4

0.4

0.4

Re

(Vos)

Common-Source Output

Conductance

0.15

0.15

0.15

G

pg

Common-Gate Power Gain

at Noise Match

16

16

16

dB

NF

Noise Figure 

1.5

1.5

1.5

G

pg

Common-Gate Power Gain

at Noise Match

11

11

11

f = 450MHz

NF

Noise Figure 

2.7

2.7

2.7

NOTES: 1. Pulse test PW 300

µ

s, duty cycle 

3%.

2. For design reference only, not 100% tested.

J308 – J310 / SST308 – SST310

CORPORATION

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

A

 = 25

o

C unless otherwise specified)

SYMBOL

PARAMETER

308

309

310

UNITS

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

MIN

TYP

MAX

MIN

TYP

MAX

BV

GSS

Gate-Source Breakdown

Voltage

-25

-25

-25

V

I

G

 = -1

µ

A, V

DS

 = 0

I

GSS

Gate Reverse Current

-1.0

-1.0

-1.0

nA

V

GS

 = -15V, 

-1.0

-1.0

-1.0

µ

A

V

DS

 = 0

T

A

 = 125

o

V

GS(off)

Gate-Source 

Cutoff Voltage

-1.0

-6.5

-1.0

-4.0

-2.0

-6.5

V

VDS = 10V, I

D

 = 1nA

I

DSS

Saturation Drain Current

(Note 1)

12

60

12

30

24

60

mA

V

DS

 = 10V, V

GS

 = 0

V

GS(f)

Gate-Source 

Forward Voltage

1.0

1.0

1.0

V

V

DS

 = 0, I

G

 = 1mA

g

fs

Common-Source Forward

Transconductance 

8,000

17,000

10,000 17,000

8,000

17,000

µ

S

V

DS

 = 10V

I

D

 = 10mA

(Note 2)

f = 1kHz

g

os

Common-Source Output

Conductance 

250

250

250

g

fg

Common-Gate Forward

Transconductance 

13,000

13,000

12,000

g

og

Common Gate Output

Conductance 

150

150

150