background image

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

* 200 Volt V

DS

* R

DS(on)

=80

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

V

DS

-200

V

Continuous Drain Current at T

amb

=25°C

I

D

-70

mA

Pulsed Drain Current

I

DM

-400

mA

Gate Source Voltage 

V

GS

±

 20

V

Power Dissipation at T

amb

=25°C

P

tot

625

mW

Operating and Storage Temperature Range

T

j

:T

stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV

DSS

-200

V

I

D

=-1mA, V

GS

=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V

GS(th)

-1.5

-3.5

V

ID=-1mA, V

DS

= V

GS

Gate-Body Leakage

I

GSS

20

nA

V

GS

=

±

 20V, V

DS

=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

I

DSS

-10

-50

µ

A

µ

A

V

DS

=-200 V, V

GS

=0

V

DS

=-160 V, V

GS

=0V,

T=125°C

(2)

On-State Drain Current(1)

I

D(on)

-100

mA

V

DS

=-25 V, V

GS

=-10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R

DS(on)

80

V

GS

=-10V,I

D

=-50mA

Forward Transconductance

(1)(2)

g

fs

25

mS

V

DS

=-25V,I

D

=-50mA

Input Capacitance (2)

C

iss

50

pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C

oss

15

pF

V

DS

=-25 V, V

GS

=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C

rss

5

pF

Turn-On Delay Time (2)(3)

t

d(on)

8

ns

V

DD 

-25V,  I

D

=-50mA

Rise Time (2)(3)

t

r

8

ns

Turn-Off Delay Time (2)(3)

t

d(off)

8

ns

Fall Time (2)(3)

t

f

16

ns

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300

µ

s. Duty cycle 

2%

(2) Sample test.

(

3

E-Line

TO92 Compatible

ZVP1320A

3-414

D

  G

     S

TYPICAL CHARACTERISTICS

Output Characteristics 

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 I

- Drain Current (mA)

Transfer Characteristics

Transconductance v drain current

g

fs

-

Forwa

rd 

T

ran

s

con

d

uctan

c

e(mS

)

-20

-40

-60

-80

-120

-100

60

50

40

30

10

20

0

-2

-4

-6

-8

-10

-4

-8

-12

-16

-20 -24

-28 -32 -36

-40

Saturation Characteristics 

V

DS-

Dr

ai

n S

o

u

rc

e

 

 

V

oltage (V

olts)

Voltage Saturation Characteristics 

V

GS-

Gate Source Voltage 

 

(Volts)

-5V

-4V

-20V 

-5V

V

GS-

Gate Source 

Voltage (Volts)

-280

-240

-160

-40

-80

-200

-120

V

GS=

-20V

-6V

-4V

-140

-100

-20

  0

-60

-10V

V

GS

=

-8V

 I

Drain Cur

re

nt

 (

mA

)

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 Capacitance v drain-source voltage 

V

DS

-Drain Source Voltage

 

(Volts)

C-Capacitance (pF)

-6V

   0

-10

-6

-2

-4

-8

0

-2

-4

-6

-8

-10

I

D=

-60mA

-40mA

-20mA

0

-2

-4

-6

-8

-10

-140

-120

-80

-20

   0

-40

-100

-60

   0

50

30

10

20

40

0

-20

-40

-60

-80

-100

C

iss

C

oss

C

rss

I

D

-Drain Current

 

(mA)

-120

-80

-40

-160

 I

- Drain Current (mA)

V

DS=

-10V

0

V

DS=

-10V

-9V

-10V

-7V

-8V

-7V

0

  0

ZVP1320A

3-415

background image

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

* 200 Volt V

DS

* R

DS(on)

=80

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

V

DS

-200

V

Continuous Drain Current at T

amb

=25°C

I

D

-70

mA

Pulsed Drain Current

I

DM

-400

mA

Gate Source Voltage 

V

GS

±

 20

V

Power Dissipation at T

amb

=25°C

P

tot

625

mW

Operating and Storage Temperature Range

T

j

:T

stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV

DSS

-200

V

I

D

=-1mA, V

GS

=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V

GS(th)

-1.5

-3.5

V

ID=-1mA, V

DS

= V

GS

Gate-Body Leakage

I

GSS

20

nA

V

GS

=

±

 20V, V

DS

=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

I

DSS

-10

-50

µ

A

µ

A

V

DS

=-200 V, V

GS

=0

V

DS

=-160 V, V

GS

=0V,

T=125°C

(2)

On-State Drain Current(1)

I

D(on)

-100

mA

V

DS

=-25 V, V

GS

=-10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R

DS(on)

80

V

GS

=-10V,I

D

=-50mA

Forward Transconductance

(1)(2)

g

fs

25

mS

V

DS

=-25V,I

D

=-50mA

Input Capacitance (2)

C

iss

50

pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C

oss

15

pF

V

DS

=-25 V, V

GS

=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C

rss

5

pF

Turn-On Delay Time (2)(3)

t

d(on)

8

ns

V

DD 

-25V,  I

D

=-50mA

Rise Time (2)(3)

t

r

8

ns

Turn-Off Delay Time (2)(3)

t

d(off)

8

ns

Fall Time (2)(3)

t

f

16

ns

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300

µ

s. Duty cycle 

2%

(2) Sample test.

(

3

E-Line

TO92 Compatible

ZVP1320A

3-414

D

  G

     S

TYPICAL CHARACTERISTICS

Output Characteristics 

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 I

- Drain Current (mA)

Transfer Characteristics

Transconductance v drain current

g

fs

-

Forwa

rd 

T

ran

s

con

d

uctan

c

e(mS

)

-20

-40

-60

-80

-120

-100

60

50

40

30

10

20

0

-2

-4

-6

-8

-10

-4

-8

-12

-16

-20 -24

-28 -32 -36

-40

Saturation Characteristics 

V

DS-

Dr

ai

n S

o

u

rc

e

 

 

V

oltage (V

olts)

Voltage Saturation Characteristics 

V

GS-

Gate Source Voltage 

 

(Volts)

-5V

-4V

-20V 

-5V

V

GS-

Gate Source 

Voltage (Volts)

-280

-240

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-40

-80

-200

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V

GS=

-20V

-6V

-4V

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-100

-20

  0

-60

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V

GS

=

-8V

 I

Drain Cur

re

nt

 (

mA

)

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 Capacitance v drain-source voltage 

V

DS

-Drain Source Voltage

 

(Volts)

C-Capacitance (pF)

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0

-2

-4

-6

-8

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I

D=

-60mA

-40mA

-20mA

0

-2

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-10

-140

-120

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-20

   0

-40

-100

-60

   0

50

30

10

20

40

0

-20

-40

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C

iss

C

oss

C

rss

I

D

-Drain Current

 

(mA)

-120

-80

-40

-160

 I

- Drain Current (mA)

V

DS=

-10V

0

V

DS=

-10V

-9V

-10V

-7V

-8V

-7V

0

  0

ZVP1320A

3-415

background image

TYPICAL CHARACTERISTICS

g

fs

-Forward T

ransconductance (mS) 

0

-2

-4

-6

-8

-10

0

Q-Charge (nC)

V

GS

-Gat

Sou

rce V

o

lta

ge

 (

V

olts)

 

Gate charge v gate-source voltage 

-6

-8

-10

-14

-16

-12

-4

-2

0

V

DS

 -50V

I

D= 

-150mA

-100V  -200V 

1.0

2.0

3.0

   0

 V

DS=

-10V

40

30 

20

10

50

60

V

GS

-Gate Source Voltage (Volts)

Transconductance v gate-source voltage 

 On-resistance v drain current 

I

D-

Drain Current (mA)

R

DS(o

n

)

-D

ra

in So

u

rce

 R

e

si

s

tan

ce

 

 

(

)

  -6V

-8V

-10V 

-10

-100

-1000

    V

GS

=-5V   

-20V 

  10

100

-1

1000

Normalised R

DS(on)

and V

GS(th)

vs Temperature

T-Temperature (°C)

Normali

s

ed R

DS(on)

a

nd

 V

G

S(

th

)

 

-40 -20

0

20 40 60 80

120

100

140 160

Dr

ai

n-

So

urc

e R

es

ista

nc

R

DS(

on

Gate Threshold Vo

ltage V

GS(TH) 

I

D=

-50mA

V

GS=

-10V

V

GS=

V

DS

180

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.6

0.8

0.4

I

D=

-1mA

4.0

5.0

6.0

ZVP1320A

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