background image

TYPICAL CHARACTERISTICS

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 I

D

(O

n) 

-On-S

tate Drain

 Cur

rent (A

m

p

s

)

0

1

2

3

4

5

Saturation Characteristics 

5V

V

GS=

10V

7V

8V

6V

4V

3V

9V

 On-resistance v gate-source voltage 

V

GS

-Gate Source Voltage

 

(Volts)

 R

DS

(O

N

-D

rain S

ourc

e  

On-Resi

s

ta

n

c

e

 

(

)

1

10

20

I

D=

1A

0.5A

0.25A

   0.1

  1

  10

Normalised R

DS(on)

and V

GS(th)

v Temperature

Normalise

d R

D

S(

on

)

and V

GS(

th

)

 

-40 -20

0 20 40 60 80

120

100

140 160

Dra

in-S

ource

 Re

sist

ance

 R

DS(

on)

 

Gate Threshold V

oltage V

GS(th) 

T

j

-Junction Temperature (C°)

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.6

0.8

0.4

-80 -60

  0

4

3

1

2

I

D=

1A

V

GS=

10V

I

D=

1mA

V

GS=

V

DS

 Transconductance v drain current 

I

D

- Drain Current (Amps

)

g

fs

-T

ransconductance (

S

0

1

2

3

4

5

0.7

0.6

0.4

0.1

   0

0.2

0.5

0.3

V

DS=

10V

Q-Charge (nC)

V

GS

-G

ate S

ource V

ol

tage (V

ol

ts

Gate charge v gate-source voltage 

V

DD

    20V 30V  50V 

10

8

6

2

0

4

12

14

16

I

D=

3A

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

DS

-Drain Source Voltage (Volts)

Capacitance v drain-source voltage 

C-Capaci

tance (

p

F

C

oss

C

iss

C

rss

0

10

20

30

40

50

60

40

20

80

100

ZVN2106G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 3 – NOVEMBER 1995

FEATURES

*

60 Volt V

DS

*

R

DS(on)

=2

COMPLEMENTARY TYPE -

ZVP2106G

PARTMARKING DETAIL -

ZVN2106

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

V

DS

60

V

Continuous Drain Current at T

amb

=25°C

I

D

710

mA

Pulsed Drain Current

I

DM

8

A

Gate Source Voltage 

V

GS

±

 20

V

Power Dissipation at T

amb

=25°C

P

tot

2.0

W

Operating and Storage Temperature Range

T

j

:T

stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown Voltage

BV

DSS

60

V

I

D

=1mA, V

GS

=0V

Gate-Source Threshold Voltage

V

GS(th)

0.8

2.4

V

I

D

=1mA, V

DS

= V

GS

Gate-Body Leakage

I

GSS

20

nA

V

GS

=

±

 20V, V

DS

=0V

Zero Gate Voltage Drain Current

I

DSS

500

100

nA

µ

A

V

DS

=60 V, V

GS

=0

V

DS

=48 V, V

GS

=0V,

T=125°C

(2)

On-State Drain Current (1)

I

D(on)

2

A

V

DS

=18V, V

GS

=10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R

DS(on)

2

V

GS

=10V,I

D

=1A

Forward Transconductance (1)(2)

g

fs

300

mS

V

DS

=18V,I

D

=1A

Input Capacitance (2)

C

iss

75

pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C

oss

45

pF

V

DS

=18 V, V

GS

=0V, f=1MHz

ReverseTransfer Capacitance(2)

C

rss

20

pF

Turn-On Delay Time (2)(3)

t

d(on)

7

ns

V

DD 

18V, I

D

=1A

Rise Time (2)(3)

t

r

8

ns

Turn-Off Delay Time (2)(3)

t

d(off)

12

ns

Fall Time (2)(3)

t

f

15

ns

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300

µ

s. Duty cycle 

2%  (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50

 source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

Spice parameter data is available upon request for this device

ZVN2106G

D

D

S

G

3 - 386

3 - 385

background image

TYPICAL CHARACTERISTICS

V

DS 

- Drain Source 

Voltage (Volts)

 I

D

(O

n) 

-On-S

tate Drain

 Cur

rent (A

m

p

s

)

0

1

2

3

4

5

Saturation Characteristics 

5V

V

GS=

10V

7V

8V

6V

4V

3V

9V

 On-resistance v gate-source voltage 

V

GS

-Gate Source Voltage

 

(Volts)

 R

DS

(O

N

-D

rain S

ourc

e  

On-Resi

s

ta

n

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e

 

(

)

1

10

20

I

D=

1A

0.5A

0.25A

   0.1

  1

  10

Normalised R

DS(on)

and V

GS(th)

v Temperature

Normalise

d R

D

S(

on

)

and V

GS(

th

)

 

-40 -20

0 20 40 60 80

120

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140 160

Dra

in-S

ource

 Re

sist

ance

 R

DS(

on)

 

Gate Threshold V

oltage V

GS(th) 

T

j

-Junction Temperature (C°)

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.6

0.8

0.4

-80 -60

  0

4

3

1

2

I

D=

1A

V

GS=

10V

I

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1mA

V

GS=

V

DS

 Transconductance v drain current 

I

D

- Drain Current (Amps

)

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ransconductance (

S

0

1

2

3

4

5

0.7

0.6

0.4

0.1

   0

0.2

0.5

0.3

V

DS=

10V

Q-Charge (nC)

V

GS

-G

ate S

ource V

ol

tage (V

ol

ts

Gate charge v gate-source voltage 

V

DD

    20V 30V  50V 

10

8

6

2

0

4

12

14

16

I

D=

3A

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

V

DS

-Drain Source Voltage (Volts)

Capacitance v drain-source voltage 

C-Capaci

tance (

p

F

C

oss

C

iss

C

rss

0

10

20

30

40

50

60

40

20

80

100

ZVN2106G

SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 3 – NOVEMBER 1995

FEATURES

*

60 Volt V

DS

*

R

DS(on)

=2

COMPLEMENTARY TYPE -

ZVP2106G

PARTMARKING DETAIL -

ZVN2106

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

V

DS

60

V

Continuous Drain Current at T

amb

=25°C

I

D

710

mA

Pulsed Drain Current

I

DM

8

A

Gate Source Voltage 

V

GS

±

 20

V

Power Dissipation at T

amb

=25°C

P

tot

2.0

W

Operating and Storage Temperature Range

T

j

:T

stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown Voltage

BV

DSS

60

V

I

D

=1mA, V

GS

=0V

Gate-Source Threshold Voltage

V

GS(th)

0.8

2.4

V

I

D

=1mA, V

DS

= V

GS

Gate-Body Leakage

I

GSS

20

nA

V

GS

=

±

 20V, V

DS

=0V

Zero Gate Voltage Drain Current

I

DSS

500

100

nA

µ

A

V

DS

=60 V, V

GS

=0

V

DS

=48 V, V

GS

=0V,

T=125°C

(2)

On-State Drain Current (1)

I

D(on)

2

A

V

DS

=18V, V

GS

=10V

Static Drain-Source On-State

Resistance (1)

R

DS(on)

2

V

GS

=10V,I

D

=1A

Forward Transconductance (1)(2)

g

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300

mS

V

DS

=18V,I

D

=1A

Input Capacitance (2)

C

iss

75

pF

Common Source Output

Capacitance (2)

C

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pF

V

DS

=18 V, V

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ReverseTransfer Capacitance(2)

C

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20

pF

Turn-On Delay Time (2)(3)

t

d(on)

7

ns

V

DD 

18V, I

D

=1A

Rise Time (2)(3)

t

r

8

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Turn-Off Delay Time (2)(3)

t

d(off)

12

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Fall Time (2)(3)

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f

15

ns

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300

µ

s. Duty cycle 

2%  (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50

 source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

Spice parameter data is available upon request for this device

ZVN2106G

D

D

S

G

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