background image

SOT23 SILICON PLANAR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

ISSUE 4 – JANUARY 1998

PIN CONFIGURATION

PARTMARKING DETAIL

BBY31 – S1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Power Dissipation at T

amb

=25°C

P

tot

330

mW

Operating and Storage Temperature Range

T

j

:T

stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage 

V

BR

28.0

V

I

R

 = 10

µ

A

Reverse current

I

R

10

1.0

nA

µ

A

V

R

 = 28V

V

R

 = 28V, T

amb

 = 85°C

TUNING CHARACTERISTICS (at T

amb

 = 25°C).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

Diode Capacitance

C

d

1.8

17.5

11.5

2.8

pF

pF

pF

V

R

 = 1V, f=1MHz

V

R

 = 3V, f=1MHz

V

R

 = 25V, f=1MHz

Capacitance Ratio

C

d

 / C

d

5.0

V

R

 = 3V/25V, f=1MHz

Series Resistance

r

d

1.2

f=470MHz at the value

of V

R

  at which C

d

=9pF

Spice parameter data is available upon request for this device

BBY31

1

3

2

SOT23

1

3