background image

SUPPLEMENT

 

Publication#  21356

Rev:  Amendment/+1

Issue Date:  March 1998

Am29LV800B Known Good Die

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit)

CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory—Die Revision 1

DISTINCTIVE CHARACTERISTICS

s

Single power supply operation

— 2.7 to 3.6 V for read, program, and erase 

operations

— Ideal for battery-powered applications

s

Manufactured on 0.35 

µ

m process technology

s

High performance

— 90 or 120 ns access time

s

Low power consumption (typical values at 5 

MHz)

— 200 nA Automatic Sleep mode current

— 200 nA standby mode current

— 7 mA read current

— 15 mA program/erase current

s

Flexible sector architecture

— One 16 Kbyte, two 8 Kbyte, one 32 Kbyte, and 

fifteen 64 Kbyte sectors (byte mode)

— One 8 Kword, two 4 Kword, one 16 Kword, and 

fifteen 32 Kword sectors (word mode)

— Supports full chip erase

— Sector Protection features:

A hardware method of locking a sector to 

prevent any program or erase operations within 

that sector

Sectors can be locked in-system or via 

programming equipment

Temporary Sector Unprotect feature allows code 

changes in previously locked sectors

s

Unlock Bypass Program Command

— Reduces overall programming time when 

issuing multiple program command sequences

s

Top or bottom boot block configurations 

available

s

Embedded Algorithms

— Embedded Erase algorithm automatically 

preprograms and erases the entire chip or any 

combination of designated sectors

— Embedded Program algorithm automatically 

writes and verifies data at specified addresses

s

Minimum 1,000,000 write cycle guarantee per 

sector

s

Compatibility with JEDEC standards

— Pinout and software compatible with single-

power supply Flash

— Superior inadvertent write protection

s

Data# Polling and toggle bits 

— Provides a software method of detecting 

program or erase operation completion

s

Ready/Busy# pin (RY/BY#)

— Provides a hardware method of detecting 

program or erase cycle completion

s

Erase Suspend/Erase Resume 

— Suspends an erase operation to read data from, 

or program data to, a sector that is not being 

erased, then resumes the erase operation

s

Hardware reset pin (RESET#)

— Hardware method to reset the device to reading 

array data

background image

2

Am29LV800B Known Good Die

S U P P L E M E N T

GENERAL DESCRIPTION

The Am29LV800B in Known Good Die (KGD) form is

an 8 Mbit, 3.0 volt-only Flash memory. AMD defines

KGD as standard product in die form, tested for func-

tionality and speed. AMD KGD products have the same

reliability and quality as AMD products in packaged

form.

Am29LV800B Features

The Am29LV800B is an 8 Mbit, 3.0 volt-only Flash

memory organized as 1,048,576 bytes or 524,288

words. The word-wide data (x16) appears on DQ15–

DQ0; the byte-wide (x8) data appears on DQ7–DQ0.

To eliminate bus contention the device has separate

chip enable (CE#), write enable (WE#) and output

enable (OE#) controls.

The device requires only a single 3.0 volt power

supply for both read and write functions. Internally

generated and regulated voltages are provided for the

program and erase operations. No V

PP

 is required for

program or erase operations. The device can also be

programmed in standard EPROM programmers.

The device is entirely command set compatible with the

JEDEC single-power-supply Flash standard. Com-

mands are written to the command register using stan-

dard microprocessor write timings. Register contents

serve as input to an internal state-machine that con-

trols the erase and programming circuitry. Write cycles

also internally latch addresses and data needed for the

programming and erase operations. Reading data out

of the device is similar to reading from other Flash or

EPROM devices.

Device programming occurs by executing the program

command sequence. This initiates the Embedded

Program algorithm—an internal algorithm that auto-

matically times the program pulse widths and verifies

proper cell margin. The Unlock Bypass mode facili-

tates faster programming times by requiring only two

write cycles to program data instead of four.

Device e rasure occurs by executing  the  erase

command sequence. This initiates the Embedded

Erase algorithm—an internal algorithm that automati-

cally preprograms the array (if it is not already pro-

grammed) before executing the erase operation.

During erase, the device automatically times the erase

pulse widths and verifies proper cell margin. 

The host system can detect whether a program or

erase operation is complete by observing the RY/BY#

pin, or by reading the DQ7 (Data# Polling) and DQ6

(toggle) status bits. After a program or erase cycle has

been completed, the device is ready to read array data

or accept another command. 

The sector erase architecture allows memory sectors

to be erased and reprogrammed without affecting the

data contents of other sectors. The device is fully

erased when shipped from the factory.

Hardware data protection measures include a low

V

CC

 detector that automatically inhibits write opera-

tions during power transitions. The hardware sector

protection feature disables both program and erase

operations in any combination of the sectors of

memory. This can be achieved in-system or via pro-

gramming equipment.

The Erase Suspend feature enables the user to put

erase on hold for any period of time to read data from,

or program data to, any sector that is not selected for

erasure. True background erase can thus be achieved.

The  hardware RESET# pin terminates any operation

in progress and resets the internal state machine to

reading array data. The RESET# pin may be tied to the

system reset circuitry. A system reset would thus also

reset the device, enabling the system microprocessor

to read the boot-up firmware from the Flash memory.

The device offers two power-saving features. When

addresses have been stable for a specified amount of

time, the device enters the automatic sleep mode.

The system can also place the device into the standby

mode. Power consumption is greatly reduced in both

these modes.

AMD’s Flash technology combines years of Flash

memory manufacturing experience to produce the

highest levels of quality, reliability and cost effective-

ness. The device electrically erases all bits within

a sector simultaneously via Fowler-Nordheim tun-

neling. The data is programmed using hot electron

injection.

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

Refer to the Am29LV800B data sheet, publication

number 21490, for full electrical specifications on the

Am29LV800B in KGD form.

background image

Am29LV800B Known Good Die

3

S U P P L E M E N T

PRODUCT SELECTOR GUIDE

DIE PHOTOGRAPH

Family Part Number

Am29LV800B KGD

Speed Option (V

CC

 = 2.7 – 3.6 V)

-90

-120

Max Access Time, t

ACC

 (ns)

90

120

Max CE# Access, t

CE

 (ns)

90

120

Max OE# Access, t

OE

 (ns)

35

50

Orientation relative 

to top left corner of 

Gel-Pak

Orientation relative 

to leading edge of 

tape and reel

background image

4

Am29LV800B Known Good Die

S U P P L E M E N T

DIE PAD LOCATIONS

2

1

44 43 42 41 40 39 38

37

35

34

13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

27 28 29 30

AMD logo location

31 32

33

10

11

12

9

8

7

6

5

4

3

36

24 25 26

background image

Am29LV800B Known Good Die

5

S U P P L E M E N T

PAD DESCRIPTION

Note: The coordinates above are relative to the center of pad 1 and can be used to operate wire bonding equipment.

Pad

Signal

Pad Center (mils)

Pad Center (millimeters)

X

Y

X

Y

1

V

CC

0.00

0.00

0.0000

0.0000

2

DQ4

–12.74

0.00

–0.3235

0.0000

3

DQ12

–18.96

0.00

–0.4817

0.0000

4

DQ5

–25.11

0.00

–0.6377

0.0000

5

DQ13

–31.33

0.00

–0.7959

0.0000

6

DQ6

–37.48

0.00

–0.9519

0.0000

7

DQ14

–43.71

0.00

–1.1101

0.0000

8

DQ7

–49.85

0.00

–1.2661

0.0000

9

DQ15/A–1

–56.08

0.00

–1.4243

0.0000

10

V

SS

–66.01

–1.69

–1.6767

–0.0430

11

BYTE#

–66.01

–12.30

–1.6767

–0.3123

12

A16

–66.01

–22.92

–1.6767

–0.5822

13

A15

–65.65

–266.81

–1.6674

–6.7770

14

A14

–59.50

–266.81

–1.5114

–6.7770

15

A13

–53.80

–266.81

–1.3664

–6.7770

16

A12

–47.65

–266.81

–1.2104

–6.7770

17

A11

–41.95

–266.81

–1.0654

–6.7770

18

A10

–35.80

–266.81

–0.9094

–6.7770

19

A9

–30.09

–266.55

–0.7644

–6.7704

20

A8

–23.85

–266.81

–0.6059

–6.7770

21

WE#

–18.15

–266.81

–0.4609

–6.7770

22

RESET#

–8.06

–270.78

–0.2047

–6.8778

23

RY/BY#

10.07

–270.78

0.2558

–6.8778

24

A18

20.14

–266.81

0.5116

–6.7770

25

A17

25.85

–266.81

0.6566

–6.7770

26

A7

31.99

–266.81

0.8126

–6.7770

27

A6

37.70

–266.81

0.9576

–6.7770

28

A5

43.84

–266.81

1.1136

–6.7770

29

A4

49.55

–266.81

1.2586

–6.7770

30

A3

55.69

–266.81

1.4146

–6.7770

31

A2

61.40

–266.81

1.5596

–6.7770

32

A1

67.54

–266.81

1.7156

–6.7770

33

A0

67.91

–23.08

1.7249

–0.5862

34

CE#

67.91

–12.45

1.7249

–0.3163

35

V

SS

67.91

–1.91

1.7249

–0.0484

36

OE#

58.00

2.27

1.4732

0.0576

37

DQ0

50.02

0.00

1.2705

0.0000

38

DQ8

43.79

0.00

1.1123

0.0000

39

DQ1

37.65

0.00

0.9563

0.0000

40

DQ9

31.42

0.00

0.7981

0.0000

41

DQ2

25.28

0.00

0.6421

0.0000

42

DQ10

19.05

0.00

0.4839

0.0000

43

DQ3

12.91

0.00

0.3279

0.0000

44

DQ11

6.68

0.00

0.1697

0.0000

background image

6

Am29LV800B Known Good Die

S U P P L E M E N T

ORDERING INFORMATION

Standard Products

AMD standard products are available in several packages and operating ranges. The order number (Valid Combination) is

formed by a combination of the following:

Valid Combinations

Valid Combinations list configurations planned to be sup-

ported in volume for this device. Consult the local AMD sales

office to confirm availability of specific valid combinations and

to check on newly released combinations.

Am29LV800B

DEVICE NUMBER/DESCRIPTION

Am29LV800B Known Good Die

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS Flash Memory—Die Revision 1

3.0 Volt-only Program and Erase

-90

DP

C

1

DIE REVISION

This number refers to the specific AMD manufacturing 

process and product technology reflected in this document. 

It is entered in the revision field of AMD standard product 

nomenclature. 

TEMPERATURE RANGE

C = Commercial (0

°

C to +70

°

C)

I = Industrial (–40

°

C to +85

°

C)

DIE THICKNESS

5 = 500 

µ

m

PACKAGE TYPE AND MINIMUM ORDER QUANTITY*

DP =

Waffle Pack 

Die per 5 tray stack

DG =

Gel-Pak

®

 Die Tray 

 Die per 6 tray stack

DT =

Surftape™ (Tape and Reel)

Die per 7-inch reel

DW = Gel-Pak

®

 Wafer Tray (sawn wafer on frame)

Call AMD sales office for minimum order quantity

* Contact an AMD representative for quantities.

SPEED OPTION

See Product Selector Guide and Valid Combinations

BOOT CODE SECTOR ARCHITECTURE

T = Top sector

B = Bottom sector

T

5

Valid Combinations

Am29LV800BT-90

Am29LV800BB-90

DPC 1, DPI 1, 

DGC 1, DGI 1,

DTC 1, DTI 1,

DWC 1, DWI 1

Am29LV800BT-120

Am29LV800BB-120

background image

Am29LV800B Known Good Die

7

S U P P L E M E N T

PRODUCT TEST FLOW

Figure 1 provides an overview of AMD’s Known Good

Die test flow. For more detailed information, refer to the

Am29LV800B product qualification database supple-

ment for KGD. AMD implements quality assurance pro-

cedures throughout the product test flow. In addition,

an off-line quality monitoring program (QMP) further

guarantees AMD quality standards are met on Known

Good Die products. These QA procedures also allow

AMD to produce KGD products without requiring or

implementing burn-in.

Figure 1.

AMD KGD Product Test Flow

Wafer Sort 1

Bake

24 hours at 250

°

C

Wafer Sort 2

Wafer Sort 3

High Temperature

Packaging for Shipment

Shipment

DC Parameters

Functionality

Programmability

Erasability

Data Retention

DC Parameters

Functionality

Programmability

Erasability

DC Parameters

Functionality

Programmability

Erasability

Speed

Incoming Inspection

Wafer Saw

Die Separation

100% Visual Inspection

Die Pack

background image

8

Am29LV800B Known Good Die

S U P P L E M E N T

PHYSICAL SPECIFICATIONS

Die dimensions  . . . . . . . . . . . . . .  147 mils x 293 mils

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .   3.74 mm x 7.45 mm

Die Thickness  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ~20 mils

Bond Pad Size . . . . . . . . . . . . . .  3.94 mils x 3.94 mils

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .   100 

µ

m x 100 

µ

m

Pad Area Free of Passivation  . . . . . . . . . .15.52 mils

2

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  10,000 

µ

m

2

Pads Per Die  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44

Bond Pad Metalization . . . . . . . . . . . . . . . . . .  Al/Cu/Si

Die Backside  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . No metal,

 may be grounded (optional)

Passivation. . . . . . . . . . . . . . . . . .  Nitride/SOG/Nitride

DC OPERATING CONDITIONS

V

CC

 (Supply Voltage) . . . . . . . . . . . . . . . 2.7 V to 3.6 V

Operating Temperature

Commercial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0

°

C to +70

°

C

Industrial  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40

°

C to +85

°

C

MANUFACTURING INFORMATION

Manufacturing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . FASL

Test   . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  SDC

Manufacturing ID (Top Boot) . . . . . . . . . . . . . 98925AK

 (Bottom Boot). . . . . . . . .98925ABK

Preparation for Shipment  . . . . . . . . Penang, Malaysia

Fabrication Process  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . CS39

Die Revision . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  1

SPECIAL HANDLING INSTRUCTIONS

Processing

Do not expose KGD products to ultraviolet light or

process them at temperatures greater than 250

°

C.

Failure to adhere to these handling instructions will

result in irreparable damage to the devices. For best

yield, AMD recommends assembly in a Class 10K

clean room with 30% to 60% relative humidity. 

Storage

Store at a maximum temperature of 30

°

C in a nitrogen-

purged cabinet or vacuum-sealed bag. Observe all

standard ESD handling procedures.

background image

Am29LV800B Known Good Die

9

S U P P L E M E N T

TERMS AND CONDITIONS OF SALE FOR 

AMD NON-VOLATILE MEMORY DIE

All transactions relating to AMD Products under this

agreement shall be subject to AMD’s standard terms

and conditions of sale, or any revisions thereof, which

revisions AMD reserves the right to make at any time

and from time to time. In the event of conflict between

the provisions of AMD’s standard terms and conditions

of sale and this agreement, the terms of this agreement

shall be controlling.

AMD warrants articles of its manufacture against

defective materials or workmanship for a period of

ninety (90) days from date of shipment. This warranty

does not extend beyond AMD’s customer, and does

not extend to die which has been affixed onto a board

or substrate of any kind. The liability of AMD under this

warranty is limited, at AMD’s option, solely to repair or

to replacement with equivalent articles, or to make an

appropriate credit adjustment not to exceed the original

sales price, for articles returned to AMD, provided that:

(a) The Buyer promptly notifies AMD in writing of each

and every defect or nonconformity in any article for

which Buyer wishes to make a warranty claim against

AMD; (b) Buyer obtains authorization from AMD to

return the article; (c) the article is returned to AMD,

transportation charges paid by AMD, F.O.B. AMD’s fac-

tory; and (d) AMD’s examination of such article dis-

closes to its satisfaction that such alleged defect or

nonconformity actually exists and was not caused by

negligence, misuse, improper installation, accident or

unauthorized repair or alteration by an entity other than

AMD. The aforementioned provisions do not extend

the original warranty period of any article which has

either been repaired or replaced by AMD. 

THIS WARRANTY IS EXPRESSED IN LIEU OF ALL

OTHER WARRANTIES, EXPRESSED OR IMPLIED,

INCLUDING THE IMPLIED WARRANTY OF FITNESS

FOR A PARTICULAR PURPOSE, THE IMPLIED

WARRANTY OF MERCHANTABILITY AND OF ALL

OTHER OBLIGATIONS OR LIABILITIES ON AMD’S

PART, AND IT NEITHER ASSUMES NOR AUTHO-

RIZES ANY OTHER PERSON TO ASSUME FOR

AMD ANY OTHER LIABILITIES. THE FOREGOING

CONSTITUTES THE BUYERS SOLE AND EXCLU-

SIVE REMEDY FOR THE FURNISHING OF DEFEC-

TIVE OR NON CONFORMING ARTICLES AND AMD

S H A L L   N O T  I N   A N Y   E V E N T  BE   L IA B L E   FO R

DAMAGES BY REASON OF FAILURE OF ANY

PRODUCT TO FUNCTION PROPERLY OR FOR ANY

SPECIAL, INDIRECT, CONSEQUENTIAL, INCI-

DENTAL OR EXEMPLARY DAMAGES, INCLUDING

BUT NOT LIMITED TO, LOSS OF PROFITS, LOSS

OF USE OR COST OF LABOR BY REASON OF THE

FACT THAT SUCH ARTICLES SHALL HAVE BEEN

DEFECTIVE OR NON CONFORMING.

Buyer agrees that it will make no warranty representa-

tions to its customers which exceed those given by

AMD to Buyer unless and until Buyer shall agree to

indemnify AMD in writing for any claims which exceed

AMD’s warranty. Buyer assumes all responsibility for

successful die prep, die attach and wire bonding pro-

cesses. Due to the unprotected nature of the AMD

Products which are the subject hereof, AMD assumes

no responsibility for environmental effects on die.

AMD products are not designed or authorized for use

as components in life support appliances, devices or

systems where malfunction of a product can reason-

ably be expected to result in a personal injury. Buyer’s

use of AMD products for use in life support applications

is at Buyer’s own risk and Buyer agrees to fully indem-

nify AMD for any damages resulting in such use or

sale.

REVISION SUMMARY FOR AM29LV800B 

KNOWN GOOD DIE

Revision B

Formatted to match current template. Updated Distinc-

tive Characteristics and General Description sections

using the current main data sheet. Updated for CS39

process technology.

Revision B+1

Distinctive Characteristics

Changed read and program/erase current to match

data sheet.

Pad Description

Corrected signal names for pads 13–44. Replaced

values for all pad coordinates.

Trademarks

Copyright © 1998 Advanced Micro Devices, Inc. All rights reserved.

AMD, the AMD logo, and combinations thereof are registered trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

Product names used in this publication are for identification purposes only and may be trademarks of their respective companies.