background image

Semiconductor Group

1

1998-04-16

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

fet06090

fet06091

fet06092

ø5.6

2.54

spacing

ø4.8

ø4.6

(2.7)

5.5

5.0

5.3

5.0

14.5

12.5

ø0.45

Radiant sensitive area

GET06013

Approx. weight 0.5 g

Chip position

Cathode (SFH 402, BPX 65)

ø5.3

0.9

1.1

1.1

0.9

Anode (SFH 482)

(2.7)

ø0.45

14.5

12.5

5.3

5.0

6.4

5.6

Chip position

2.54 mm

spacing

ø4.8

glass

lens

welded

Approx. weight 0.35 g

ø5.6

ø5.3

Anode

Cathode

= SFH 481

= SFH 401

GET06091

(package)

ø4.6

0.9

1.1

1.1

0.9

ø5.6

ø5.3

2.54mm

spacing

ø0.45

Cathode (SFH 480)

(2.7)

14.5

12.5

5.3

5.0

ø4.8

ø4.6

GEO06314

Approx. weight 0.5 g

7.4

6.6

0.9

1.1

1.1

0.9

SFH 400)

Anode

Radiant

Sensitive area

Chip position

 (SFH  216, SFH 231,

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 480

SFH 481

SFH 482

background image

Semiconductor Group

2

1998-04-16

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 480-2

Q62703-Q1662

18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-

Raster (

1

/

10

’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-

häuseboden

18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm

(

1

/

10

’’), cathode marking: projection at package

SFH 480-3

Q62703-Q1663

SFH 481

Q62703-Q1088

SFH 481-1

Q62703-Q1664

SFH 481-2

Q62703-Q1665

SFH 482

Q62703-Q1089

SFH 482-1

Q62703-Q1667

SFH 482-2

Q62703-Q1668

SFH 482-3

Q62703-Q1669

SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186

Wesentliche Merkmale

q

Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

q

Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

q

Hermetisch dichtes Metallgehäuse

q

SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216

q

SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,

BPY 63

q

SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,

BPX 65

Anwendungen

q

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

q

IR-Gerätefernsteuerungen

Features

q

GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

q

Anode is electrically connected to the case

q

High reliability

q

Matches all Si-Photodetectors

q

Hermetically sealed package

q

SFH 480: Same package as SFH 216

q

SFH 481: Same package as BPX 43,

BPY 63

q

SFH 482: Same package as BPX 38,

BPX 65

Applications

q

Photointerrupters

q

IR remote control of various equipmet

background image

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Semiconductor Group

3

1998-04-16

Grenzwerte (

T

C

 = 25

°

C)

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH 481:

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

;

T

stg

– 55 ... + 100

°

C

SFH 480, SFH 482:

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

;

T

stg

– 55 ... + 125

°

C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

100

°

C

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

5

V

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

200

mA

Stoßstrom,

t

p

 = 10

µ

s,

D

 = 0

Surge current

I

FSM

2.5

A

Verlustleistung

Power dissipation

P

tot

470

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

R

thJA

R

thJC

450

160

K/W

K/W

Kennwerte (

T

A

 = 25

°

C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

I

F

 = 100 mA

λ

peak

880

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

I

max

Spectral bandwidth at 50 % of

 I

max

I

F

= 100 mA

∆λ

80

nm

Abstrahlwinkel

Half angle

SFH 480

SFH 481

SFH 482

ϕ

ϕ

ϕ

±

 6

±

15

±

30

Grad

deg.

Aktive Chipfläche

Active chip area

A

0.16

mm

2

background image

Semiconductor Group

4

1998-04-16

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimension of the active chip area

L

×

B

L

×

W

0.4

×

0.4

mm

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

SFH 480

SFH 481

SFH 482

H

H

H

4.0 ... 4.8

2.8 ... 3.7

2.1 ... 2.7

mm

mm

mm

Schaltzeiten,

I

e

 von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei

I

F

 = 100 mA,

R

L

 = 50

Switching times,

I

e

 from 10 % to 90 % and

from 90 % to10 %,

I

F

 = 100 mA,

R

L

 = 50

t

r

,

t

f

0.6/0.5

µ

s

Kapazität

Capacitance

V

R

 = 0 V,

f

 = 1 MHz

C

o

25

pF

Durchlaßspannung

Forward voltage

I

F

 = 100 mA,

t

p

 = 20 ms

I

F

 = 1 A,

t

p

 = 100

µ

s

V

F

V

F

1.50

(≤

1.8)

3.00

(≤

3.8)

V

V

Sperrstrom

Reverse current

V

R

 = 5 V

I

R

0.01

 (≤

1

)

µ

A

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

I

F

 = 100 mA,

t

p

 = 20 ms

Φ

e

12

mW

Temperaturkoeffizient von

I

e

 bzw.

Φ

e

,

I

F

 = 100 mA

Temperature coefficient of

I

e

 or

Φ

e

,

I

F

 = 100 mA

TC

I

– 0.5

%/K

Temperaturkoeffizient von

V

F

,

I

F

 = 100 mA

Temperature coefficient of

 V

F

,

I

F

 = 100 mA

TC

V

– 2

mV/K

Temperaturkoeffizient von

λ

,

I

F

 = 100 mA

Temperature coefficient of

λ

,

I

F

 = 100 mA

TC

λ

+ 0.25

nm/K

Kennwerte (

T

A

 = 25

°

C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

background image

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Semiconductor Group

5

1998-04-16

Gruppierung der Strahlstärke

I

e

 in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel

 = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity

I

e

 in axial direction

at a solid angle of

 = 0.01 sr

1)

Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil

(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird

sichergestellt, da

β

 bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die

direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)

wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über

Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken gro

β

er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen

diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende

Me

β

verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Grö

β

e. Diese Lochblendenmessung ist

gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1)

An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle

(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the

radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the

radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These

reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection

switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by

apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.

This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH

480-2

SFH

480-3

SFH

481

SFH

481-1

SFH

481-2

Strahlstärke

Radiant intensity

I

F

 = 100 mA,

t

p

 = 20 ms

I

e min

I

e max

40

63

10

10

20

16

mW/sr

mW/sr

Strahlstärke

Radiant intensity

I

F

 = 1 A,

t

p

 = 100

µ

s

I

e typ.

540

630

220

130

220

mW/sr

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH

482

SFH

482-1

SFH

482-2

SFH

482-3

SFH

482-M

E 7800

1)

Strahlstärke

Radiant intensity

I

F

 = 100 mA,

t

p

 = 20 ms

I

e min

I

e max

3.15

3.15

6.3

5

10

8

1.6 ... 3.2

mW/sr

mW/sr

Strahlstärke

Radiant intensity

I

F

 = 1 A,

t

p

 = 100

µ

s

I

e typ.

40

65

80

mW/sr

background image

Semiconductor Group

6

1998-04-16

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Radiation characteristics, SFH 482

I

rel

=

f

 (

ϕ

)

OHR01890

 

 

 

 

0

20

40

60

80

100

120

0.4

0.6

0.8

1.0

100

90

80

70

60

50

0

10

20

30

40

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

ϕ

Radiation characteristics, SFH 481

I

rel

=

f

 (

ϕ

)

OHR01889

0

20

40

60

80

100

120

0.4

0.6

0.8

1.0

100

90

80

70

60

50

0

10

20

30

40

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

ϕ

Radiation characteristics, SFH 480

I

rel

=

f

 (

ϕ

)

OHR01888

0

20

40

60

80

100

120

0.4

0.6

0.8

1.0

100

90

80

70

60

50

0

10

20

30

40

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

ϕ

background image

SFH 480,

SFH 481, SFH 482

Semiconductor Group

7

1998-04-16

Relative spectral emission

I

rel

=

f

 (

λ

)

Forward current,

I

F

=

f

 (

V

F

)

Single pulse,

t

p

 = 20

µ

s

0

750

Ι

rel

OHR00877

800

850

900

950 nm 1000

20

40

60

80

%

100

λ

10

OHR00881

F

V

-3

-2

10

-1

10

0

10

1

10

0

1

2

3

4

5

6

V

8

A

Ι

F

Radiant intensity

Single pulse,

t

p

 = 20

µ

s

Permissible pulse handling capability

I

F

=

f

(

τ

),

T

C

 = 25

°

C,

duty cycle

D

 = parameter

I

e

I

e

100 mA

 =

f

(

I

F

)

10

OHR00878

Ι

e

F

Ι

-3

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

0

10

10

1

10

2

10

4

mA

e

Ι

(100mA)

3

10

t

OHR00948

 

 

 

 

 

p

-5

10

10

2

Ι

F

10

3

10

4

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

s

5

DC

0.2

0.5

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

t

p

T

Ι

F

t

p

T

D

=

5

mA

D

=

Max. permissible forward current

SFH 481,

I

F

=

f

 (

T

A

, T

C

)

T

OHR00946

A

0

F

Ι

0

20

40

60

80

100

˚C

40

80

120

160

200

mA

240

,

T

C

= 450 K/W

thJA

R

R

thJC

= 160 K/W

Max. permissible forward current

SFH 480, SFH 482,

I

F

=

f

 (

T

A

, T

C

)

T

OHR00396

A

0

F

Ι

0

˚C

40

80

120

160

200

mA

240

,

T

C

= 450 K/W

thJA

R

R

thJC

= 160 K/W

20

40

60

80

100

130