background image

Semiconductor Group

1

1997-11-27

SFH 314

SFH 314 FA

.

Neu: NPN-Silizium-Fototransistor

New: Silicon NPN Phototransistor

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet für Anwendungen im 

Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) 

und bei 880 nm (SFH 314 FA)

q

Hohe Linearität

q

5 mm-Plastikbauform

Anwendungen

q

Computer-Blitzlichtgeräte

q

Lichtschranken für Gleich- und 

Wechsellichtbetrieb

q

Industrieelektronik

q

“Messen/Steuern/Regeln”    

Features

q

Especially suitable for applications from

460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of 

880 nm (SFH 314 FA)

q

High linearity

q

5 mm plastic package

Applications

q

Computer-controlled flashes

q

Photointerrupters

q

Industrial electronics

q

For control and drive circuits   

      

SFH 314

SFH 314 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

5.9

5.5

0.6

0.4

ø5.1

ø4.8

2.54 mm

spacing

5.7

5.5

6.9

6.1

4.0

3.4

29.5

27.5

1.8

1.2

0.8

0.4

Area not flat

0.6

0.4

Cathode (Diode)

Chip position

GEX06630

Approx. weight 0.4 g

Collector (Transistor)

feof

6652

feo06652

background image

SFH 314

SFH 314 FA

Semiconductor Group

2

1997-11-27

              

Grenzwerte

Maximum Ratings       

    

Typ 

Type 

Bestellnummer

Ordering Code

SFH 314

SFH 314-2

SFH 314-3

Q62702-P1668

Q62702-P1755

Q62702-P1756

SFH 314 FA

SFH 314 FA-2

SFH 314 FA-3

Q62702-P1675

Q62702-P1757

Q62702-P1758

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

T

stg

– 55 ... + 100

°

C

Löttemperatur bei Tauchlötung

Lötstelle 

 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit 

 5 s

Dip soldering temperature  

 2 mm distance

from case bottom, soldering time 

 5 s

T

S

260

°

C

Löttemperatur bei Kolbenlötung

Lötstelle 

 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit 

 3 s

Iron soldering temperature

 ≥

 2 mm distance

from case bottom 

 3 s

T

S

300

°

C

Kollektor-Emitterspannung

Collector-emitter voltage

V

CE

70

V

Kollektorstrom

Collector current

I

C

50

mA

Kollektorspitzenstrom, 

τ < 

10

 µ

s

Collector surge current

I

CS

100

mA

Emitter-Kollektorspannung

Emitter-collector voltage

V

EC

7

V

Verlustleistung, 

T

A

 = 25 

°

C

Total power dissipation

P

tot

200

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

R

thJA

375

K/W

background image

Semiconductor Group

3

1997-11-27

SFH 314

SFH 314 FA

Kennwerte (

T

A

 = 25 

°

C, 

λ

 = 950 nm)

Characteristics 

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH 314

SFH 314 FA

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850

870

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S

 = 10 % von  

S

max

Spectral range of sensitivity

S

 = 10 % of  

S

max

λ

460 ... 1080

740 ... 1080

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

 

0.55

0.55

mm

2

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

L

×

B

L

×

W

1

×

1

1

×

1

mm

×

mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

H

3.4 ... 4.0

3.4 ... 4.0

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ

±

40

±

40

Grad

deg.

Kapazität, 

V

CE

 = 0 V, 

f

 = 1 MHz, 

= 0

Capacitance 

C

CE

15

15

pF

Dunkelstrom

Dark current

V

CE

 = 10 V, 

= 0

I

CEO

10 (

≤ 

200)

10 (

≤ 

200)

nA

Fotostrom,

Photocurrent

E

e

 = 0.5 mW/cm

2

V

CE

 = 5 V

E

v

 = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

V

CE

 = 5 V

I

PCE

I

PCE

 0.63

7

 0.63

– 

mA

mA

background image

SFH 314

SFH 314 FA

Semiconductor Group

4

1997-11-27

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen 

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished 

by arabian figures.      

1)

I

PCEmin

 

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1)

I

PCEmin

 

is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics 

S

rel 

f

  (

ϕ

 

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

-1

-2

-3

-4

Fotostrom, 

λ = 

950 nm

Photocurrent

E

e

 = 0.5 mW/cm

2

V

CE

 = 5 V

SFH 314:

E

v

 = 1000 Ix, Normlicht/

standard light A, 

V

CE

 = 5 V

I

PCE

I

PCE

0.63 ... 1.25

3.4

1 ... 2

5.4

1.6 ... 3.2

8.6

 

 2.5

13.5

mA

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

I

C

 = 1 mA, 

V

CC

 = 5 V, 

R

L

 = 1 k

t

r

,

 t

f

8

10

12

14

µ

s

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation 

voltage

I

C

 = 

I

PCEmin

1)

×

0.3,

E

e

 = 0.5 mW/cm

2

V

CEsat

150

150

150

150

mV

OHF02329

 

 

 

 

0

20

40

60

80

100

120

0.4

0.6

0.8

1.0

100

90

80

70

60

50

0

10

20

30

40

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

ϕ

background image

Semiconductor Group

5

1997-11-27

SFH 314

SFH 314 FA

T

A

=

25

°

C,

 λ =

950 nm

Rel. spectral sensitivity  SFH 314

S

rel

=

f

 (

λ

)

Photocurrent

I

PCE

 =

f

 (

T

A

),

V

CE

= 5 V, normalized to 25

o

C

Photocurrent

I

PCE

=

f

 (

V

CE

),

 E

e

 = parameter

λ

OHF02332

 

 

 

 

 

0

rel

S

400

10

20

30

40

50

60

70

80

%

100

500 600 700 800 900

nm 1100

T

OHF01524

A

0

-25

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0

25

50

75

100

Ι

PCE

PCE

Ι

25

C

V

OHF02338

 

 

 

 

CE

PCE

Ι

0

10

0

-1

10

10

20

30

40

50

V

70

10

1

mA

0.5

mW

cm

2

2

cm

mW

1

2

cm

mW

0.25

0.1

mW

cm

2

Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,

S

rel

=

f

(

λ

)

Photocurrent

I

PCE

=

f

 (

E

e

),

V

CE

= 5 V

Total power dissipation

P

tot

=

f

 (

T

A

)

λ

OHF02331

 

 

 

 

0

rel

S

400

10

20

30

40

50

60

70

80

%

100

500 600 700 800 900

nm 1100

E

OHF02339

 

 

 

 

 

e

PCE

Ι

10

0

-2

10

10

-1

1

10

mA

10

-3

-2

10

0

10

mW/cm

2

10

-3

T

OHF02340

 

 

 

 

A

0

tot

P

0

20

40

60

80 ˚C 100

50

100

150

200

250

mW

Dark current

I

CEO

=

f

 (

V

CE

),

 E

= 0

Collector-emitter capacitance

C

CE

=

f

 (

V

CE

),

f

= 1 MHz

Dark current

I

CEO

=

f

 (

T

A

),

 V

CE

= 10 V,

E

= 0

V

OHF02341

CE

0

CEO

Ι

-2

10

10

-1

10

0

10

1

10

2

nA

10

20

30

40

50

70

V

V

OHF02344

 

 

 

 

 

CE

CE

C

0

10

-2

-1

10

0

10

1

10

10

2

V

10

20

30

40

pF

50

T

OHF02342

A

0

CEO

Ι

-2

10

10

-1

10

0

10

1

10

2

nA

20

40

60

80

100

˚C