background image

Semiconductor Group

253

SFH 309

SFH 309 F

NPN-Silizium-Fototransistor

NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter

Silicon NPN Phototransistor

Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter

Wesentliche Merkmale

q

Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 380 nm bis 1180 nm

(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 F)

q

Hohe Linearität

q

3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

q

Gruppiert lieferbar

Anwendungen

q

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

q

Industrieelektronik

q

“Messen/Steuern/Regeln”

Features

q

Especially suitable for applications from

380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of

880 nm (SFH 309 F)

q

High linearity

q

3 mm LED plastic package

q

Available in groups

Applications

q

Light-reflecting switches for steady and

varying intensity

q

Industrial electronics

q

For control and drive circuits

SFH 309

SFH 309 F

Ma

β

e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

background image

Semiconductor Group

254

SFH 309

SFH 309 F

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.

Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we

will reserve us the right of delivering a substitute group.

Typ (*ab 4/95)

Type (*as of 4/95)

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 309

Q62702-P859

klares bzw. schwarzes Epoxy-Gie

β

harz, Lötspie

β

e

im 2.54-mm-Raster

(

1

/

10

”),

Kollektorkennzeichnung: kürzerer Lötspie

β

, flach

am Gehäusebund

transparent and black epoxy resin, solder tabs

2.54 mm (

1

/

10

”) lead spacing, collector marking:

short solder lead, flat at package bottom

SFH 309-2

Q62702-P996

SFH 309-3

Q62702-P997

SFH 309-4

Q62702-P998

SFH 309-5

1)

Q62702-P999

SFH 309-6

1)

Q62702-P1000

SFH 309 F-2

(*SFH 309 FA-2)

Q62702-P174

SFH 309 F-3

(*SFH 309 FA-3)

Q62702-P176

SFH 309 F-4

(*SFH 309 FA-4)

Q62702-P178

SFH 309 F-5

1)

(*SFH 309 FA-5)

Q62702-P180

background image

Semiconductor Group

255

SFH 309

SFH 309 F

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

T

op

;

T

stg

–55 ... +100

o

C

Löttemperatur bei Tauchlötung

Lötstelle

 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit

t

 5s

Dip soldering temperature

 2 mm distance

from case bottom, soldering time

 t

 5s

T

S

260

o

C

Löttemperatur bei Kolbenlötung

Lötstelle

 2 mm vom Gehäuse,

Lötzeit

t

 3s

Iron soldering temperature

 ≥

 2 mm distance

from case bottom, soldering time

t

 3s

T

S

300

o

C

Kollektor-Emitterspannung

Collector-emitter voltage

V

CE

35

V

Kollektorstrom

Collector current

I

C

15

mA

Kollektorspitzenstrom,

τ <

10

 µ

s

Collector surge current

I

CS

75

mA

Verlustleistung,

T

A

 = 25

o

C

Total power dissipation

P

tot

165

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

R

thJA

450

K/W

background image

Semiconductor Group

256

SFH 309

SFH 309 F

Kennwerte (

T

A

 = 25

o

C,

λ

 = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH 309

SFH 309 F

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

860

900

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S

 = 10% von

S

max

Spectral range of sensitivity

S

 = 10% of

S

max

λ

380 ... 1150

730 ... 1120

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche (

240

 µ

m

)

Radiant sensitive area

A

0.045

0.045

mm

2

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

L

x

B

L

x

W

0.45 x 0.45

0.45 x 0.45

mm x mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

H

2.4 ... 2.8

2.4 ... 2.8

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ

±

12

±

12

Grad

deg.

Kapazität,

V

CE

 = 0 V,

f

 = 1 MHz,

E

= 0

Capacitance

C

CE

5.0

5.0

pF

Dunkelstrom

Dark current

V

CEO

 = 25 V,

E

= 0

I

CEO

1 (

200)

1 (

200)

nA

background image

Semiconductor Group

257

SFH 309

SFH 309 F

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

1)

I

PCEmin

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1)

I

PCEmin

is the min. photocurrent of the specified group

Bezeichnung

Description

Sym-

bol

Wert

Value

Ein-

heit

Unit

-2

-3

-4

-5

-6

Fotostrom,

λ =

950 nm

Photocurrent

E

e

 = 0.5 mW/cm

2

,

V

CE

 = 5 V

SFH 309:

E

v

 = 1000 Ix, Normlicht/

standard light A,

V

CE

 = 5 V

I

PCE

I

PCE

0.4 ... 0.8

1.5

0.63 ... 1.25

2.8

1.0 ... 3.2

4.5

1.6 ... 3.2

7.2

2.5

10.0

mA

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

I

C

 = 1 mA,

V

CC

 = 5 V,

R

L

 = 1 k

t

r

,

t

f

5

6

7

8

9

µ

s

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation

voltage

I

C

 =

I

PCEmin

1)

 x 0.3,

E

e

 = 0.5 mW/cm

2

V

CEsa

t

200

1200

200

200

200

mV

Directional characteristics

S

rel

=

f

 (

ϕ

)

background image

Semiconductor Group

258

SFH 309

SFH 309 F

Relative spectral sensitivitySFH 309

S

rel

=

f

 (

λ

)

Total power dissipation

P

tot

 =

f

 (

T

A

)

Dark curent

I

CEO

=

f

 (

T

A

),

 V

CE

 = 25 V,

 E

 = 0

Relative spectral sensitivitySFH 309 F

S

rel

=

f

 (

λ

)

Photocurrent

I

PCE

 =

f

 (

V

CE

),

E

e

= Parameter

Capacitance

C

CE

=

f

 (

V

CE

),

f

= 1 MHz,

E

 = 0

Photocurrent

I

PCE

=

f

 (

E

e

),

V

CE

= 5 V

Dark curent

I

CEO

=

f

 (

V

CE

),

 E

= 0

Photocurrent

I

PCE

/

I

PCE25

o

 =

f

 (

T

A

),

V

CE

= 5 V