background image

Semiconductor Group

1

11.96

TOPLED

®

RG

Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED

LH T774

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Typ

Type

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

Light Emitting

Area

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 10 mA

I

V

 (mcd)

Lichtstrom

Luminous

Flux

I

F

 = 10 mA

Φ

V

 (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LH T774-KM

LH T774-L

LH T774-M

LH T774-LN

hyper-red

colorless clear

6.3 ...

 32

10.0 ...

20

16.0 ...

32

10.0 ...

50

-

45 (typ.)

75 (typ.)

-

Q62703-Q2725

Q62703-Q2790

Q62703-Q2791

Q62703-Q2792

VPL06899

Besondere Merkmale

q

Gehäusefarbe: weiß

q

Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie

q

besonders hohe Lichtstärke

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

q

für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

q

gegurtet (12-mm-Filmgurt)

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

color of package: white

q

double heterojunction in GaAIAs technology

q

superior luminous intensity

q

for use as optical indicator

q

for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

q

suitable for all SMT assembly and soldering methods

q

available taped on reel (12 mm tape)

q

load dump resistant acc. to DIN 40839

background image

Semiconductor Group

2

LH T774

Grenzwerte

Maximum Ratings

*

)

PC-board: FR4

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

– 55 … + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

– 55 … + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

+ 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

30

mA

Stoßstrom

Surge current

t

 10

µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

0.5

A

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

3

V

Verlustleistung

Power dissipation

T

A

 25 ˚C

P

tot

90

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Luft

Junction / air

Montage auf PC-Board*

)

 (Padgröße je

 16 mm

2

)

mounted on PC-Board*

)

 (pad size

 ≥

 16 mm

2

 each)

R

th JA

400

K/W

background image

Semiconductor Group

3

LH T774

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

 = 10 mA

λ

peak

660

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

 = 10 mA

λ

dom

645

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 %

I

rel max

(typ.)

I

F

 = 10 mA

∆λ

22

nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

V

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50 %

I

V

2

ϕ

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

 = 10 mA

V

F

V

F

1.75

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

 = 3 V

I

R

I

R

0.01

10

µ

A

µ

A

Kapazität

(typ.)

Capacitance

V

R

 = 0 V,

f

 = 1 MHz

C

0

25

pF

Schaltzeiten:

Switching times:

I

V

 from 10 % to 90 %

(typ.)

I

V

 from 90 % to 10 %

(typ.)

I

F

 = 100 mA,

t

P

 = 10

µ

s,

R

L

 = 50

t

r

t

f

140

110

ns

ns

background image

Semiconductor Group

4

LH T774

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

(

λ

),

T

A

= 25 ˚C,

I

F

= 10 mA

Relative spectral emission

V (

λ

) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

=

f

(

ϕ

)

Radiation characteristic

background image

Semiconductor Group

5

LH T774

Durchlaßstrom

I

F

=

f

(

V

F

)

Forward current

T

A

= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

=

f

(

t

P

)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

= 25 ˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(10 mA)

 =

f

(

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

= 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

=

f

(

T

A

)

background image

Semiconductor Group

6

LH T774

Wellenlänge der Strahlung

λ

peak

=

f

(

T

A

)

Wavelength at peak emission

I

F

= 10 mA

Durchlaßspannung

V

F

=

f

(

T

A

)

Forward voltage

I

F

= 10 mA

Dominantwellenlänge

λ

dom

=

f

(

T

A

)

Dominant wavelength

I

F

= 10 mA

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25

°

C)

 =

f

(

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

= 10 mA

background image

Semiconductor Group

7

LH T774

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:

abgeschrägte Ecke

Cathode mark:

bevelled edge

GPL06899