background image

Semiconductor Group

1

11.96

VPL06899

Besondere Merkmale

q

Gehäusefarbe: weiß

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

q

für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

q

gegurtet (12-mm-Filmgurt)

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

color of package: white

q

for use as optical indicator

q

for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

q

suitable for all SMT assembly and soldering methods

q

available taped on reel (12 mm tape)

q

load dump resistant acc. to DIN 40839

TOPLED

®

 RG

LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

2

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Luminous intensity ratio  in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Typ

Type

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

Light Emitting

Area

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 10 mA

I

V

 (mcd)

Lichtstrom

Luminous

Flux

I

F

 = 10 mA

Φ

V

 (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LS T770-HK

LS T770-J

LS T770-K

LS T770-JL

super-red

colorless clear

2.5 ... 12.5

4.0 ...

8.0

6.3 ... 12.5

4.0 ... 20.0

-

18 (typ.)

30 (typ.)

-

Q62703-Q2726

Q62703-Q2727

Q62703-Q2728

Q62703-Q2729

LO T770-HK

LO T770-J

LO T770-K

LO T770-JL

orange

colorless clear

2.5 ... 12.5

4.0 ...

8.0

6.3 ... 12.5

4.0 ... 20.0

-

18 (typ.)

30 (typ.)

-

Q62703-Q2730

Q62703-Q2731

Q62703-Q2732

Q62703-Q2733

LY T770-HL

LY T770-J

LY T770-K

LY T770-L

LY T770-JM

yellow

colorless clear

2.5 ... 20.0

4.0 ...

8.0

6.3 ... 12.5

10.0 ... 20.0

4.0 ... 32.0

-

18 (typ.)

30 (typ.)

45 (typ.)

-

Q62703-Q2734

Q62703-Q2736

Q62703-Q3241

Q62703-Q3906

Q62703-Q2737

LG T770-HL

LG T770-J

LG T770-K

LG T770-L

LG T770-JM

green

colorless clear

2.5 ... 20.0

4.0 ...

8.0

6.3 ... 12.5

10.0 ... 20.0

4.0 ... 32.0

-

18 (typ.)

30 (typ.)

45 (typ.)

-

Q62703-Q2738

Q62703-Q2739

Q62703-Q2740

Q62703-Q3100

Q62703-Q2741

LP T770-FJ

LP T770-G

LP T770-H

LP T770-GK

pure green

colorless clear

1.0 ...

8.0

1.6 ...

3.2

2.5 ...

5.0

1.6 ... 12.5

-

8 (typ.)

12 (typ.)

-

Q62703-Q2742

Q62703-Q2743

Q62703-Q2744

Q62703-Q2745

  LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

3

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

–  55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

–  55 ... + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

 + 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

30

mA

Stoßstrom

Surge current

t

10

 µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

0.5

A

Sperrspanung

Reverse voltage

V

R

5

V

Verlustleistung

Power dissipation

P

tot

100

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board

*

)

(Padgröße je

 ≥

16 mm

2

)

mounted on PC board

*

)

(pad size

 ≥

 16 mm

2

 each)

R

th JA

400

K/W

*

)

PC-board: FR4

 LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

4

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS

LO

LY

LG

LP

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

peak

635

610

586

565

557

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

dom

628

605

590

570

560

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 %

I

rel max

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

45

40

45

25

22

nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

v

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50 %

I

v

2

ϕ

120

120

120

120

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

= 10 mA

V

F

V

F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

= 5 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Kapazität

(typ.)

Capacitance

V

R

= 0 V,

 f

 = 1 MHz

C

0

12

8

10

15

15

pF

Schaltzeiten:

Switching times:

I

V

 from 10 % to 90 %

(typ.)

I

V

 from 90 % to 10 %

(typ.)

I

F

= 100 mA,

 t

p

 = 10

µ

s,

 R

L

= 50

t

r

t

f

300

150

300

150

300

150

450

200

450

200

ns

ns

 LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

5

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

 (

λ

),

T

A

= 25 ˚C,

I

F

= 10 mA

Relative spectral emission

V(

λ

) =

spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

 =

f

 (

ϕ

)

Radiation characteristic

  LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

6

Durchlaßstrom

I

F

 =

f

 (

V

F

)

Forward current

T

A

 = 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle

D

 = parameter,

 T

A

 = 25 ˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(10 mA)

 =

f

 (

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

 = 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

 =

f

 (

T

A

)

  LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

7

Wellenlänge der Strahlung

λ

peak

=

f

 (

T

A

)

Wavelength at peak emission

I

F

 = 10 mA

Durchlaßspannung

V

F

 =

f

 (

T

A

)

Forward voltage

I

F

 = 10 mA

Dominantwellenlänge

 λ

dom

=

f

 (

T

A

)

Dominant wavelength

I

F

 = 10 mA

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25 ˚C )

 =

f

 (

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

 = 10 mA

  LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

background image

Semiconductor Group

8

 LS T770, LO T770, LY T770

LG T770, LP T770

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung:

abgeschrägte Ecke

Cathode mark:

bevelled edge

GPL06899