background image

Semiconductor Group

1

11.96

VPL06724

Besondere Merkmale

q

Gehäusebauform: P-LCC-2

q

Gehäusefarbe: weiß

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

q

für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

q

gegurtet (8-mm-Filmgurt)

Features

q

P-LCC-2 package

q

color of package: white

q

for use as optical indicator

q

for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

q

suitable for all SMT assembly and soldering methods

q

available taped on reel (8 mm tape)

Hyper TOPLED

®

Hyper-Bright LED

LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

2

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Luminous intensity ratio  in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Typ

Type

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

Light Emitting

Area

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 20 mA

I

V

 (mcd)

Lichtstrom

Luminous

Flux

I

F

 = 20 mA

Φ

V

 (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LS T676-NR

LS T676-P

LS T676-Q

LS T676-R

LS T676-PS

super-red

colorless clear

25

... 200

40

...

80

63

... 125

100

... 200

40

... 320

-

180 (typ.)

300 (typ.)

450 (typ.)

-

Q62703-Q3135

Q62703-Q3136

Q62703-Q3137

Q62703-Q3138

Q62703-Q3139

LA T676-PS

LA T676-Q

LA T676-R

LA T676-S

LA T676-QT

amber

colorless clear

40

... 320

63

... 125

100

... 200

160

... 320

63

... 500

-

300 (typ.)

450 (typ.)

700 (typ.)

-

Q62703-Q3423

Q62703-Q3424

Q62703-Q3425

Q62703-Q3426

Q62703-Q3427

LO T676-PS

LO T676-Q

LO T676-R

LO T676-S

LO T676-QT

orange

colorless clear

40

... 320

63

... 125

100

... 200

160

... 320

63

... 500

-

300 (typ.)

450 (typ.)

600 (typ.)

-

Q62703-Q3066

Q62703-Q3064

Q62703-Q3065

Q62703-Q3091

Q62703-Q3125

LY T676-PS

LY T676-Q

LY T676-R

LY T676-S

LY T676-QT

yellow

colorless clear

40

... 320

63

... 125

100

... 200

160

... 320

63

... 500

-

300 (typ.)

450 (typ.)

700 (typ.)

-

Q62703-Q3855

Q62703-Q3159

Q62703-Q3160

Q62703-Q3404

Q62703-Q3161

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

3

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LA, LO LY

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

–  55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

–  55 ... + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

 + 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

30

20

mA

Stoßstrom

Surge current

t

10

 µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

1

0.2

A

Sperrspanung

1)

Reverse voltage

1)

V

R

3

V

Verlustleistung

Power dissipation

T

A

 25 ˚C

P

tot

80

55

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board*

)

 (Padgröße

 ≥

16 mm

2

)

mounted on PC board*

)

  (pad size

 ≥

 16 mm

2

)

R

th JA

500

K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

*

)

PC-board: FR4

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

4

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS

LA

LO

LY

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

peak

645

622

610

591

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

dom

632

615

605

587

nm

Spektrale Bandbreite bei 50%

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50%

I

rel max

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

16

16

16

15

nm

Abstrahlwinkel bei 50%

I

v

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50%

I

v

2

ϕ

120

120

120

120

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

= 20 mA

V

F

V

F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

= 3 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Temperaturkoeffizient von

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

Temperature coefficient of

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

TC

λ

0.014 0.062 0.067

0.096

nm/K

Temperaturkoeffizient von

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

(typ.)

Temperature coefficient of

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

(typ.)

TC

λ

0.14

0.13

0.13

0.13

nm/K

Temperaturkoeffizient von

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

Temperature coefficient of

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

5

Relative spektrale Emission

I

rel

 =

f

 (

λ

),

T

A

25 ˚C,

I

F

= 10 mA

Relative spectral emission

V(

λ

) =

spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

 =

f

 (

ϕ

)

Radiation characteristic

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

6

Durchlaßstrom

I

F

 =

f

 (

V

F

)

Forward current

T

A

 = 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

 =

f

 (

T

A

)

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(20 mA)

 =

f

 (

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

 = 25 ˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25 ˚C )

 =

f

 (

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

 = 10 mA

background image

 LS T676, LA T676, LO T676

LY T676

Semiconductor Group

7

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

f

 =

f

(

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LO, LA, LS

D

 = Parameter;

T

A

 = 25

°

C

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke

Cathode mark:

bevelled edge

GPL06724

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

f

 =

f

(

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LY

D

 = Parameter;

T

A

 = 25

°

C