background image

Semiconductor Group

1

1998-11-12

VPL06880

Besondere Merkmale

q

Gehäusefarbe: weiß

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch

erhöhten Betriebsstrom (

 50 mA DC)

q

zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

q

für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet

q

gegurtet (12-mm-Filmgurt)

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

color of package: white

q

for use as optical indicator

q

appropriate for high ambient light because of the higher

operating current (

 50 mA DC)

q

for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

q

suitable for all SMT assembly and reflow  soldering  methods

q

available taped on reel (12 mm tape)

q

load dump resistant acc. to DIN 40839

Super SIDELED

®

High-Current LED

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

background image

Semiconductor Group

 2

1998-11-12

s

Nicht für Neuentwicklungen / Not for new design

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Luminous intensity ratio  in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

2.0.

Typ

Type

Emissions-

farbe

Color of

Emission

Farbe der

Lichtaustritts-

fläche

Color of the

Light Emitting

Area

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 50 mA

I

V

 (mcd)

Lichtstrom

Luminous

Flux

I

F

 = 50 mA

Φ

V

 (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LS A672-LP

LS A672-N

LS A672-P

LS A672-NR

super-red

colorless clear

10

... 80

25

... 50

40

... 80

25

... 200

-

100 (typ.)

180 (typ.)

-

Q62703-Q2761

Q62703-Q2849

Q62703-Q3226

Q62703-Q2850

LO A672-LP

LO A672-N

LO A672-P

LO A672-NR

orange

colorless clear

10

... 80

25

... 50

40

... 80

25

... 200

-

100 (typ.)

180 (typ.)

-

Q62703-Q2548

Q62703-Q2851

Q62703-Q2852

Q62703-Q2853

LY A672-LN

LY A672-N

LY A672-P

LY A672-MQ

yellow

colorless clear

10

... 50

25

... 50

40

...  80

16

... 125

-

100 (typ.)

180 (typ.)

-

Q62703-Q2553

Q62703-Q2854

Q62703-Q2855

Q62703-Q2856

LG A672-LP

LG A672-N

LG A672-P

LG A672-MQ

green

colorless clear

10

...  80

25

... 50

40

... 80

16

... 125

-

100 (typ.)

180 (typ.)

-

Q62703-Q2544

Q62703-Q2857

Q62703-Q2858

Q62703-Q2859

LP A672-KN

LP A672-L

LP A672-M

LP A672-N

LP A672-LP

pure green

colorless clear

6.3 ... 50

10

... 20

16

... 32

25

... 50

10

... 80

-

45 (typ.)

75 (typ.)

100 (typ.)

-

Q62703-Q2860

Q62703-Q3838

Q62703-Q3839

Q62703-Q3148

Q62703-Q2863

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

s

s

s

s

s

s

s

s

s

s

s

s

background image

Semiconductor Group

 3

1998-11-12

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

– 55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

– 55 ... + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

 + 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

50

mA

Stoßstrom

Surge current

t

10

 µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

1

A

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

5

V

Verlustleistung

Power dissipation

P

tot

190

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

Montage auf PC-board*

)

 (Padgröße je

 ≥

16 mm

2

)

mounted on PC board*

)

 (padsize

 ≥

16 mm

2

 each )

R

th JA

330

K/W

*

)

PC-board: FR4

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

background image

Semiconductor Group

 4

1998-11-12

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS

LO

LY

LG

LP

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

peak

635

610

586

565

557

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

dom

628

605

590

570

560

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 %

I

rel max

(typ.)

I

F

= 10 mA

λ

45

40

45

25

22

nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

v

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50 %

I

v

2

ϕ

120

120

120

120

120

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

= 50 mA

V

F

V

F

2.0

3.8

2.1

3.8

2.2

3.8

2.6

3.8

2.6

3.8*

)

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

= 5 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Kapazität

(typ.)

Capacitance

V

R

= 0 V,

 f

 = 1 MHz

C

0

40

35

35

60

80

pF

Schaltzeiten:

Switching times:

I

V

 from 10 % to 90 %

(typ.)

I

V

 from 90 % to 10 %

(typ.)

I

F

= 100mA,

 t

p

 = 10

µ

s,

 R

L

= 50

t

r

t

f

350

200

500

250

350

200

500

250

500

250

ns

ns

*

)

V

F

 max = 3.2 V as of Febr. 97

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

background image

Semiconductor Group

 5

1998-11-12

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

 (

λ

),

T

A

 = 25 ˚C,

I

F

= 10 mA

Relative Spectral Emission

V (

λ

) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

=

f

 (

ϕ

)

Radiation characteristic

rel

λ

OHL01698

V

λ

100

400

450

500

550

600

650

700

nm

Ι

pure-green green

yellow

orange

super-red

red

hyper-red

blue

80

60

40

20

0

%

0

0.2

0.4

1.0

0.8

0.6

ϕ

1.0

0.8

0.6

0.4

10˚

20˚

40˚

30˚

OHL01660

50˚

60˚

70˚

80˚

90˚

100˚

20˚

40˚

60˚

80˚

100˚

120˚

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

background image

Semiconductor Group

6

1998-11-12

Durchlaßstrom

I

F

 =

f

 (

V

F

)

Forward current

T

A

 = 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

 I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

 = 25 ˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(50 mA)

 =

f

 (

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

 = 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

 =

f

 (

T

A

)

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

background image

Semiconductor Group

7

1998-11-12

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

Wellenlänge der Strahlung

λ

peak

 =

f (T

A

)

Wavelength at peak emission

I

F

 = 10 mA

Durchlaßspannung

V

F

 =

 f

 (

T

A

)

Forward voltage

I

F

 = 50 mA

Dominantwellenlänge

λ

dom

 =

f

 (

T

A

)

Dominat wavelength

I

F

 = 10 mA

Relative Lichtstärke

I

V

 /

I

V(25 ˚C)

=

f

 (

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

 = 50 mA

green

yellow

orange

super-red

pure-green

550

OHL02104

λ

peak

˚C

A

T

0

20

40

60

80

100

570

590

610

630

650

nm

690

yellow

green

orange

super-red

pure-green

550

OHL02105

λ

dom

˚C

A

T

0

20

40

60

80

100

570

590

610

630

650

nm

690

background image

Semiconductor Group

 8

1998-11-12

LS A672, LO A672, LY A672

LG A672, LP A672

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung:

abgeschrägte Ecke

Cathode mark:

bevelled edge

1.1

0.9

2.54

spacing

(2.4)

2.8

2.4

4.2

3.8

(2.85)

0.7

4.2

3.8

(2.9)

3.8

3.4

(R1)

Cathode marking

Cathode

Anode

(1.4)

(0.3)

GPL06880