background image

Semiconductor Group

1

11.96

5 mm (T1

3

/

4

) LED, Diffused

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

VEX06713

Besondere Merkmale

q

eingefärbtes, diffuses Gehäuse

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

Lötspieße ohne Aufsetzebene

q

gegurtet lieferbar

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

colored, diffused package

q

for use as optical indicator

q

solder leads without stand-off

q

available taped on reel

q

load dump resistance acc. to DIN 40839

background image

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Semiconductor Group

2

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Typ

Type

Emissionsfarbe

Color of

Emission

Gehäusefarbe

Color of

Package

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 10 mA

I

V

 (mcd)

Bestellnummer

Ordering Code

LR 5460-DG

LR 5460-F

LR 5460-G

LR 5460-FJ

red

red diffused

0.4 … 3.2

1.0 … 2.0

1.6 … 3.2

1.0 … 8.0

Q62703-Q1392

Q62703-Q1393

Q62703-Q1394

Q62703-Q1395

LS 5460-HL

LS 5460-J

LS 5460-K

LS 5460-L

LS 5460-JM

super-red

red diffused

2.5 … 20.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

10.0 … 20.0

4.0 … 32.0

Q62703-Q1396

Q62703-Q1746

Q62703-Q1397

Q62703-Q1398

Q62703-Q3225

LY 5460-HL

LY 5460-J

LY 5460-K

LY 5460-L

LY 5460-JM

yellow

yellow diffused

2.5 … 20.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

10.0 … 20.0

4.0 … 32.0

Q62703-Q1400

Q62703-Q1401

Q62703-Q1402

Q62703-Q2403

Q62703-Q1403

LG 5460-GK

LG 5460-H

LG 5460-J

LG 5460-K

LG 5460-HL

green

green diffused

1.6 … 12.5

2.5 … 5.0

4.0 … 8.0

6.3 … 12.5

2.5 … 20.0

Q62703-Q1407

Q62703-Q1406

Q62703-Q1867

Q62703-Q2014

Q62703-Q3190

background image

Semiconductor Group

3

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LR

LS, LY, LG

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

– 55 … + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

– 55 … + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

+ 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

45

40

mA

Stoßstrom

Surge current

t

 10

µ

s, D = 0.005

I

FM

0.5

A

Sperrspannung

Reverse voltage

V

R

5

V

Verlustleistung

Power dissipation

T

A

 25 ˚C

P

tot

100

140

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Luft

Junction / air

R

th JA

400

K/W

background image

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Semiconductor Group

4

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LR

LS

LY

LG

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

 = 20 mA

λ

peak

660

635

586

565

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

 = 20 mA

λ

dom

645

628

590

570

nm

Spektrale Bandbreite bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 %

I

rel max

(typ.)

I

F

 = 20 mA

∆λ

35

45

45

25

nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

V

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50 %

I

V

2

ϕ

50

50

50

50

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

 = 10 mA

V

F

V

F

1.6

2.0

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

 = 5 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Kapazität

(typ.)

Capacitance

V

R

 = 0 V,

f

 = 1 MHz

C

0

25

12

10

15

pF

Schaltzeiten:

Switching times:

I

V

 from 10 % to 90 %

(typ.)

I

V

 from 90 % to 10 %

(typ.)

I

F

 = 100 mA,

t

P

 = 10

µ

s,

R

L

 = 50

t

r

t

f

120

50

300

150

300

150

450

200

ns

ns

background image

Semiconductor Group

5

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

(

λ

),

T

A

= 25 ˚C,

I

F

= 20 mA

Relative spectral emission

V (

λ

) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

=

f

(

ϕ

)

Radiation characteristic

background image

Semiconductor Group

6

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Durchlaßstrom

I

F

=

f

(

V

F

)

Forward current

T

A

= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

=

f

(

t

P

)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter,

T

A

= 25 ˚C

LS, LY, LG

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(10 mA)

 =

f

(

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

= 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

=

f

(

t

P

)

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter,

T

A

= 25 ˚C

LR

background image

Semiconductor Group

7

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

=

f

(

T

A

)

Dominantwellenlänge

λ

dom

=

f

(

T

A

)

Dominant wavelength

I

F

= 20 mA

Wellenlänge der Strahlung

λ

peak

=

f

(

T

A

)

Wavelength at peak emission

I

F

= 20 mA

Durchlaßspannung

V

F

=

f

(

T

A

)

Forward voltage

I

F

= 10 mA

background image

LR 5460, LS 5460, LY 5460

LG 5460

Semiconductor Group

8

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25

°

C)

 =

f

(

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

= 10 mA

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß

Cathode mark:

Short  solder lead

GEX06713