background image

Semiconductor Group

1

1998-09-18

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused

Hyper-Bright, Wide-Angle LED

LS 3386,  LA 3386, LO 3386

LY 3386

Besondere Merkmale

q

eingefärbtes, diffuses Gehäuse

q

zur Einkopplung in Lichtleiter

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

Lötspieße mit Aufsetzebene

q

gegurtet lieferbar

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

colored, diffused package

q

optical coupling into light pipes

q

for use as optical indicator

q

solder leads with stand-off

q

available taped on reel

q

load dump resistant acc. to DIN 40839

background image

Semiconductor Group

2

1998-09-18

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Typ

Type

Emissionsfarbe

Color of

Emission

Gehäusefarbe

Color of

Package

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 20 mA

I

V

 (mcd)

Bestellnummer

Ordering Code

LS 3386-LP

LS 3386-M

LS 3386-N

LS 3386-P

LS 3386-MQ

super-red

red diffused

10

...

80

16

...

32

25

...

50

40

80

16

125

Q62703-Q3579

Q62703-Q3581

Q62703-Q3582

Q62703-Q3709

Q62703-Q3580

LA 3386-MQ

LA 3386-N

LA 3386-P

LA 3386-Q

LA 3386-NR

amber

orange diffused

16

125

25

50

40

80

63

125

25

200

Q62703-Q3886

Q62703-Q3887

Q62703-Q3888

Q62703-Q3889

Q62703-Q3890

LO 3386-MQ

LO 3386-N

LO 3386-P

LO 3386-Q

LO 3386-NR

orange

orange diffused

16

125

25

50

40

80

63

125

25

200

Q62703-Q3891

Q62703-Q3892

Q62703-Q3893

Q62703-Q3894

Q62703-Q3895

LY 3386-MQ

LY 3386-N

LY 3386-P

LY 3386-Q

LY 3386-NR

yellow

yellow diffused

16

125

25

50

40

80

63

125

25

200

Q62703-Q3896

Q62703-Q3897

Q62703-Q3898

Q62703-Q3899

Q62703-Q3900

        LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

background image

Semiconductor Group

3

1998-09-18

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LO, LA

LY

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

–  55... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

–  55... + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

 + 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

30

20

mA

Stoßstrom

Surge current

t

10

 µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

1

0.2

A

Sperrspanung

1)

Reverse voltage

1)

V

R

3

V

Verlustleistung

Power dissipation

T

A

 25 ˚C

P

tot

80

55

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

R

th JA

500

K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

background image

Semiconductor Group

4

1998-09-18

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS

LA

LO

LY

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

peak

645

622

610

591

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

dom

632

615

605

587

nm

Spektrale Bandbreite bei 50%

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50%

I

rel max

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

16

16

16

15

nm

Abstrahlwinkel bei 50%

I

v

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50%

I

v

2

ϕ

100

100

100

100

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

= 20 mA

V

F

V

F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

= 3 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Temperaturkoeffizient von

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

Temperature coefficient of

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

TC

λ

0.014 0.062 0.067

0.096

nm/K

Temperaturkoeffizient von

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

 (typ.)

Temperature coefficient of

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

 (typ.)

TC

λ

0.14

0.13

0.13

0.13

nm/K

Temperaturkoeffizient von

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

Temperature coefficient of

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

background image

Semiconductor Group

5

1998-09-18

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

(

λ

),

T

A

= 25 ˚C,

I

F

= 20 mA

Relative spectral emission

V (

λ

) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

=

f

(

ϕ

)

Radiation characteristic

OHL00235

 

 

 

 

 

400

0

20

40

60

80

100

450

500

550

600

650

700

nm

%

Ι

rel

λ

V

λ

yellow

orange

amber

super-red

0

0.2

0.4

1.0

0.8

0.6

φ

1.0

0.8

0.6

0.4

0

10

20

40

30

OHL01681

50

60

70

80

90

100

0

20

40

60

80

100

120

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

background image

Semiconductor Group

6

1998-09-18

Durchlaßstrom

I

F

 =

f

 (

V

F

)

Forward current

T

A

 = 25˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(20 mA)

 =

f

 (

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

 = 25˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

 =

f

 (

T

A

)

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25˚C )

 =

f

 (

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

 = 20 mA

V

OHL00232

 

 

 

 

 

F

F

Ι

10

-1

1.4

1.8

2.2

2.6

3.0 V 3.4

0

10

1

10

10

2

5

5

mA

5

1.0

Ι

OHL00233

 

 

 

 

 

F

-1

10

V

Ι

10

-3

-2

-1

0

1

10

10

10

10

10

0

10

1

10

2

5

5

5

5

5

mA

(20 mA)

Ι

V

superred

yellow

orange/amber

Τ

OHL00248

A

0

F

Ι

0

20

40

60

80 C 100

mA

5

10

15

20

25

30

35

yellow

T

OHL00238

 

 

 

 

 

0

V

Ι

-20

0

20

40

60

C

100

orange

A

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Ι

V

(25 C)

yellow

amber

super-red

super-red

amber

yellow

orange

 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

background image

Semiconductor Group

7

1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:

Kürzerer Lötspieß

Cathode mark:

Short solder lead

0.4

0.6

3.1

3.4

Area not flat

5.7

6.1

ø2.7

ø2.9

4.8

4.4

3.7

3.5

27.0

29.0

spacing

2.54 mm

0.8

0.4

0.4

0.7

0.4

0.6

1.2

1.8

GEX06710

0.9

1.1

Collector/

2.1

2.7

Chip position

Cathode

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LS, LA, LO

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

 = 25 ˚C

OHL00322

 

 

 

 

 

1

10

-2

10

Ι

F

A

5

10

-5

p

t

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

s

F

Ι

T

p

t

=

D

p

t

T

0.5

0.2

0.1

D =

0.005

0.01

0.05

0.02

10

-1

10

0

5

5

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LY

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

 = 25 ˚C

OHL00316

 

 

 

 

5

0

10

-2

10

Ι

F

A

10

-1

5

10

-5

p

t

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

s

F

Ι

T

p

t

=

D

p

t

T

0.5

0.2

0.1

D =

0.005

0.01

0.05

0.02