background image

Semiconductor Group

1

1998-09-18

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused

Hyper-Bright LED

LS 3336, LA 3336, LO 3336

LY 3336

VEX06710

Besondere Merkmale

q

nicht eingefärbtes, klares Gehäuse

q

zur Einkopplung in Lichtleiter

q

als optischer Indikator einsetzbar

q

Lötspieße mit Aufsetzebene

q

gegurtet lieferbar

q

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

q

colorless, clear package

q

optical coupling into light pipes

q

for use as optical indicator

q

solder leads with stand-off

q

available taped on reel

q

load dump resistant acc. to DIN 40839

background image

Semiconductor Group

2

1998-09-18

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Luminous intensity ratio in one packaging unit

I

V max

 /

I

V min

 2.0.

Typ

Type

Emissionsfarbe

Color of

Emission

Gehäusefarbe

Color of

Package

Lichtstärke

Luminous

Intensity

I

F

 = 20 mA

I

V

 (mcd)

Bestellnummer

Ordering Code

LS 3336-QT

LS 3336-R

LS 3336-S

LS 3336-T

LS 3336-RU

super-red

colorless clear

63

...

500

100

...

200

160

...

320

250

...

500

100

...

800

Q62703-Q3482

Q62703-Q3484

Q62703-Q3485

Q62703-Q3813

Q62703-Q3486

LA 3336-RU

LA 3336-S

LA 3336-T

LA 3336-U

LA 3336-SV

amber

colorless clear

100

...

800

160

...

320

250

...

500

400

...

800

160

... 1250

Q62703-Q3554

Q62703-Q3551

Q62703-Q3552

Q62703-Q3553

Q62703-Q3555

LO 3336-RU

LO 3336-S

LO 3336-T

LO 3336-U

LO 3336-SV

orange

colorless clear

100

...

800

160

...

320

250

...

500

400

...

800

160

... 1250

Q62703-Q3144

Q62703-Q3176

Q62703-Q3170

Q62703-Q3307

Q62703-Q3177

LY 3336-RU

LY 3336-S

LY 3336-T

LY 3336-U

LY 3336-SV

yellow

colorless clear

100

...

800

160

...

320

250

...

500

400

...

800

160

... 1250

Q62703-Q3487

Q62703-Q3489

Q62703-Q3490

Q62703-Q3814

Q62703-Q3491

        LS 3336, LA 3336,  LO 3336, LY 3336

background image

Semiconductor Group

3

1998-09-18

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS, LO, LA LY

Betriebstemperatur

Operating temperature range

T

op

–  55 ... + 100

˚C

Lagertemperatur

Storage temperature range

T

stg

–  55 ... + 100

˚C

Sperrschichttemperatur

Junction temperature

T

j

 + 100

˚C

Durchlaßstrom

Forward current

I

F

30

20

mA

Stoßstrom

Surge current

t

10

 µ

s,

D

 = 0.005

I

FM

1

0.2

A

Sperrspanung

1)

Reverse voltage

1)

V

R

3

V

Verlustleistung

Power dissipation

T

A

 25 ˚C

P

tot

80

55

mW

Wärmewiderstand

Thermal resistance

Sperrschicht / Umgebung

Junction / air

R

th JA

500

K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336

background image

Semiconductor Group

4

1998-09-18

Kennwerte (

T

A

 = 25 ˚C)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Werte

Values

Einheit

Unit

LS

LA

LO

LY

Wellenlänge des emittierten Lichtes

(typ.)

Wavelength at peak emission

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

peak

645

622

610

591

nm

Dominantwellenlänge

(typ.)

Dominant wavelength

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

dom

632

615

605

587

nm

Spektrale Bandbreite bei 50%

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50%

I

rel max

(typ.)

I

F

= 20 mA

λ

16

16

16

15

nm

Abstrahlwinkel bei 50%

I

v

 (Vollwinkel)

Viewing angle at 50%

I

v

2

ϕ

50

50

50

50

Grad

deg.

Durchlaßspannung

(typ.)

Forward voltage

(max.)

I

F

= 20 mA

V

F

V

F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V

V

Sperrstrom

(typ.)

Reverse current

(max.)

V

R

= 3 V

I

R

I

R

0.01

10

0.01

10

0.01

10

0.01

10

µ

A

µ

A

Temperaturkoeffizient von

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

Temperature coefficient of

λ

dom

(

I

F

 = 20 mA)

TC

λ

0.014 0.062 0.067

0.096

nm/K

Temperaturkoeffizient von

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

 (typ.)

Temperature coefficient of

λ

peak

,

I

F

 = 20 mA

(typ.)

TC

λ

0.14

0.13

0.13

0.13

nm/K

Temperaturkoeffizient von

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

Temperature coefficient of

V

F

, I

F

 = 20 mA  (typ.)

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336

background image

Semiconductor Group

5

1998-09-18

Relative spektrale Emission

I

rel

=

f

(

λ

),

T

A

= 25 ˚C,

I

F

= 20 mA

Relative spectral emission

V (

λ

) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik

I

rel

=

f

(

ϕ

)

Radiation characteristic

OHL00235

 

 

 

 

 

400

0

20

40

60

80

100

450

500

550

600

650

700

nm

%

Ι

rel

λ

V

λ

yellow

orange

amber

super-red

 

 

 

 

0.8

100

1.0

80

90

70

0.4

0.6

0

0

0.2

0.4

60

50

40

30

20

0.6

0.8

10

1.0

φ

0

100

20

40

80

60

120

OHL01646

LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336

background image

Semiconductor Group

6

1998-09-18

Durchlaßstrom

I

F

 =

f

 (

V

F

)

Forward current

T

A

 = 25˚C

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(20 mA)

 =

f

 (

I

F

)

Relative luminous intensity

T

A

 = 25˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom

Max. permissible forward current

I

F

 =

f

 (

T

A

)

Relative Lichtstärke

I

V

/

I

V(25˚C )

 =

f

 (

T

A

)

Relative luminous intensity

I

F

 = 20 mA

V

OHL00232

 

 

 

 

 

F

F

Ι

10

-1

1.4

1.8

2.2

2.6

3.0 V 3.4

0

10

1

10

10

2

5

5

mA

5

1.0

Ι

OHL00233

 

 

 

 

 

F

-1

10

V

Ι

10

-3

-2

-1

0

1

10

10

10

10

10

0

10

1

10

2

5

5

5

5

5

mA

(20 mA)

Ι

V

superred

yellow

orange/amber

Τ

OHL00248

A

0

F

Ι

0

20

40

60

80 C 100

mA

5

10

15

20

25

30

35

yellow

T

OHL00238

 

 

 

 

 

0

V

Ι

-20

0

20

40

60

C

100

orange

A

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Ι

V

(25 C)

yellow

amber

super-red

super-red

amber

yellow

orange

 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336

background image

Semiconductor Group

7

1998-09-18

LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336

Maßzeichnung

(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)

Package Outlines

(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:

Kürzerer Lötspieß

Cathode mark:

Short solder lead

0.4

0.6

3.1

3.4

Area not flat

5.7

6.1

ø2.7

ø2.9

4.8

4.4

3.7

3.5

27.0

29.0

spacing

2.54mm

0.8

0.4

0.4

0.7

0.4

0.6

1.2

1.8

GEX06951

0.9

1.1

Cathode

Approx. weight 0.15 g

Cathode

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LS, LA, LO

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

 = 25 ˚C

OHL00322

 

 

 

 

1

10

-2

10

Ι

F

A

5

10

-5

p

t

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

s

F

Ι

T

p

t

=

D

p

t

T

0.5

0.2

0.1

D =

0.005

0.01

0.05

0.02

10

-1

10

0

5

5

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

F

 =

f

 (

t

p

)

Permissible pulse handling capability

LY

Duty cycle

D

 = parameter,

T

A

 = 25 ˚C

OHL00316

 

 

 

 

5

0

10

-2

10

Ι

F

A

10

-1

5

10

-5

p

t

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

s

F

Ι

T

p

t

=

D

p

t

T

0.5

0.2

0.1

D =

0.005

0.01

0.05

0.02